本发明公开了一种钝化接触结构、多晶硅钝化接触电池及制备方法，该钝化接触结构中，电池背面为局域的钝化接触结构，可以降低光学损失，提高短路电流密度；背面的金属电极位于第一氧化层上，第一氧化层具有相对更高致密性、厚度厚的特点，在烧结的过程中可以避免金属电极形成“金属穿刺”，相比于常规的结构，降低了金属接触区域的复合，可以提高开路电压；相比于常规结构中整面的隧穿氧化层，背面第二氧化层为局域的隧穿氧化层，虽然面积占比降低，但对于载流子的收集影响较小，仅会导致填充因子的略微降低，进而可以用于多晶硅钝化接触电池中，将使电池具有更高的转换效率。