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公开(公告)号：CN117497643A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311810218.9
申请日：2023-12-27
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种钝化接触结构、多晶硅钝化接触电池及制备方法，该钝化接触结构中，电池背面为局域的钝化接触结构，可以降低光学损失，提高短路电流密度；背面的金属电极位于第一氧化层上，第一氧化层具有相对更高致密性、厚度厚的特点，在烧结的过程中可以避免金属电极形成“金属穿刺”，相比于常规的结构，降低了金属接触区域的复合，可以提高开路电压；相比于常规结构中整面的隧穿氧化层，背面第二氧化层为局域的隧穿氧化层，虽然面积占比降低，但对于载流子的收集影响较小，仅会导致填充因子的略微降低，进而可以用于多晶硅钝化接触电池中，将使电池具有更高的转换效率。
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公开(公告)号：CN117438496A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311271285.8
申请日：2023-09-28
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了双面钝化接触电池结构的制备工艺及电池结构，其工艺包括步骤：选择N型硅片进行双面抛光；沉积硅片双面的隧穿氧化硅层及本征多晶硅层，并掺杂形成p‑poly层；进行单面刻蚀；正面制绒处理；双面沉积氧化硅层及本征多晶硅层，并掺杂形成n‑poly层；背面进行单面刻蚀；通过激光对非接触区域进行消融；二次制绒并清洗正面PSG层和背面BSG层；形成正面氧化层；沉积正面钝化层；在背面依次沉积表面带负电荷的膜层和背面钝化层；印刷形成金属电极。本发明不仅降低了金属接触复合，提高电池转换效率，避免掺杂带来的复合，而且减少多晶硅层而带来的寄生吸收，提高硅基体对光的吸收，有利于电池的短路电流的提升。
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公开(公告)号：CN117293200A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311285881.1
申请日：2023-09-28
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了双面钝化接触电池结构，其包括硅基体、正面电极和背面电极，其中正面电极的正面遂穿层和正面掺杂层形成接触区域段，接触区域段填补在硅基体上并与硅基体的正面一体构成连续的接触面，接触面呈平面或绒面，正面电极还包括形成在接触面上且表面与接触面平行的正面氧化层，正面钝化层形成在正面氧化层上且表面与接触面平行，金属电极位于接触区域段所对齐的正面钝化层的区域内、且印刷在正面钝化层的表面。本发明一方面降低了金属接触复合，且所形成的正面非接触区域段可以直接避免掺杂带来的复合；另一方面减少正面非接触区域存在多晶硅层而带来的寄生吸收，提高硅基体对光的吸收，有利于电池的短路电流的提升。
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公开(公告)号：CN118073436A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410338332.4
申请日：2023-12-27
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种钝化接触结构及其应用，该钝化接触结构中，电池背面为局域的钝化接触结构，可以降低光学损失，提高短路电流密度；背面的金属电极位于第一氧化层上，第一氧化层具有相对更高致密性、厚度厚的特点，在烧结的过程中可以避免金属电极形成“金属穿刺”，相比于常规的结构，降低了金属接触区域的复合，可以提高开路电压；相比于常规结构中整面的隧穿氧化层，背面第二氧化层为局域的隧穿氧化层，虽然面积占比降低，但对于载流子的收集影响较小，仅会导致填充因子的略微降低，进而可以用于多晶硅钝化接触电池中，将使电池具有更高的转换效率。
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公开(公告)号：CN117766635A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410079460.1
申请日：2024-01-19
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/0224
摘要： 本发明涉及IBC电池结构的成型工艺，包括步骤：制绒、硼扩散；单面HF处理、抛光；沉积遂穿层、原位掺杂非晶硅层；激光开膜、制绒处理；激光转印硼浆、高温处理；清洗；沉积正背面钝化膜；印刷电极并烧结。本发明一方面可以减少少数载流子横向传输的复合损失，提高空穴被背面发射极收集能力，同时允许背场区域更宽的设计，受硅片电阻率影响小，背面结构还可以降低背场区表面和金属的复合，且背面发射极区制绒形貌，界面接触电阻可以进一步降低；另一方面采用激光转印沉积硼浆栅线来制备背面发射极，不接触硅片背表面，可以减少丝网印刷这类接触式沉积方法对背面的损伤、破坏，同时避免多次掩膜和开膜过程、且无需针对隔离区进行单独制备。
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公开(公告)号：CN117497643B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311810218.9
申请日：2023-12-27
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种钝化接触结构、多晶硅钝化接触电池及制备方法，该钝化接触结构中，电池背面为局域的钝化接触结构，可以降低光学损失，提高短路电流密度；背面的金属电极位于第一氧化层上，第一氧化层具有相对更高致密性、厚度厚的特点，在烧结的过程中可以避免金属电极形成“金属穿刺”，相比于常规的结构，降低了金属接触区域的复合，可以提高开路电压；相比于常规结构中整面的隧穿氧化层，背面第二氧化层为局域的隧穿氧化层，虽然面积占比降低，但对于载流子的收集影响较小，仅会导致填充因子的略微降低，进而可以用于多晶硅钝化接触电池中，将使电池具有更高的转换效率。
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公开(公告)号：CN221613899U
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202323567892.7
申请日：2023-12-27
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： 本实用新型公开了一种钝化接触结构及多晶硅钝化接触电池，该钝化接触结构中，电池背面为局域的钝化接触结构，可以降低光学损失，提高短路电流密度；背面的金属电极位于第一氧化层上，第一氧化层具有相对更高致密性、厚度厚的特点，在烧结的过程中可以避免金属电极形成“金属穿刺”，相比于常规的结构，降低了金属接触区域的复合，可以提高开路电压；相比于常规结构中整面的隧穿氧化层，背面第二氧化层为局域的隧穿氧化层，虽然面积占比降低，但对于载流子的收集影响较小，仅会导致填充因子的略微降低，进而可以用于多晶硅钝化接触电池中，将使电池具有更高的转换效率。
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公开(公告)号：CN221508194U
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202323574676.5
申请日：2023-12-26
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： 本实用新型公开了具有选择性隧穿氧化层的背接触电池，其包括硅片衬底、前表面场、局域钝化接触层和电极，局域钝化接触层包括p+局域钝化接触层和n+局域钝化接触层；p+局域钝化接触层和n+局域钝化接触层分别包括第一氧化层、第二氧化层以及掺杂多晶硅层。本实用新型一方面避免p+钝化接触层和n+钝化接触层搭接形成的短路问题，确保电池性能，有效提升产品的良品率；同时能够保证大部分抵达硅片衬底背面的光子不被多晶硅层吸收，有利于提升光子的利用率，达到提高电池转换效率之目的；另一方面通过第一氧化层阻挡廉价金属浆料在烧结过程中对氧化层的穿透，避免背面钝化性能的破坏，因此电极能够使用廉价金属浆料，有效降低电池的制备成本。
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公开(公告)号：CN220984535U
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202322676481.5
申请日：2023-09-28
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本实用新型公开了双面钝化接触电池结构，其包括硅基体、正面电极和背面电极，其中正面电极的正面遂穿层和正面掺杂层形成接触区域段，接触区域段填补在硅基体上并与硅基体的正面一体构成连续的接触面，接触面呈平面或绒面，正面电极还包括形成在接触面上且表面与接触面平行的正面氧化层，正面钝化层形成在正面氧化层上且表面与接触面平行，金属电极位于接触区域段所对齐的正面钝化层的区域内、且印刷在正面钝化层的表面。本实用新型一方面降低了金属接触复合，且所形成的正面非接触区域段可以直接避免掺杂带来的复合；另一方面减少正面非接触区域存在多晶硅层而带来的寄生吸收，提高硅基体对光的吸收，有利于电池的短路电流的提升。
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公开(公告)号：CN221379382U
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202322928374.7
申请日：2023-10-31
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042
摘要： 本实用新型公开了太阳能电池片，其包括硅衬底、掺杂层、金属氧化物层、金属层，金属层为贱金属层，其中贱金属层形成在金属氧化物层远离掺杂层的表面。本实用新型一方面在特定厚度的金属氧化物层所形成的能带弯曲，更有利于电子在贱金属电极和掺杂层之间的传输，增加纵向导电性，使金属电极和掺杂层之间形成更好的接触；另一方面通过特定厚度的金属氧化物层所形成的阻挡层，用来阻挡贱金属铝、铜等对硅基体的穿刺及污染，极大减少金属和硅之间的复合，因此，该方案能够同时兼顾金属和掺杂层之间的复合与接触，即，金属复合和接触电阻能够同时平衡，而且贱金属材料选择丰富，对于太阳能电池非硅成本的下降有很大益处，以达降本增效之目的。
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