公开(公告)号：CN118867049A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410897920.1

申请日：2024-07-05

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 沈东东 ,  杜哲仁 ,  孙小璐 ,  陆俊宇 ,  李彦潼 ,  瞿芳

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/05 ,  C23C14/10 ,  C23C14/35

摘要： 本发明涉及晶硅电池切割面钝化方法及太阳能电池片半片和电池结构，其晶硅电池切割面钝化方法用于太阳能电池片半片的切割面在同一个腔体的两个分区中依次进行相分隔的PVD磁控溅射以使得切割面上依次形成第一钝化层和第二钝化层。本发明一方面通过所形成的叠层钝化结构，将场钝化和化学钝化有效结合，有效减少表面缺陷，降低光生载流子的复合速率，从而提高电池的光电转换效率；另一方面用PVD磁控溅射能满足沉积温度低、沉积速率快、成膜稳定性好等效果，还能解决在同一腔室内制备，提高膜层质量，降低交叉污染和设备投入问题。

公开(公告)号：CN117727833A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311744639.6

申请日：2023-12-19

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 沈东东 ,  肖赞 ,  肖陈 ,  黄沈虎 ,  李彦潼 ,  叶欢

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02 ,  H01L31/068

摘要： 本发明公开了一种具有选择性隧穿层厚度的钝化接触结构及其制备方法和应用，制备时，在硅基体的背表面沉积第一隧穿氧化硅层并覆盖具有空隙结构的致密盖板，空隙结构对应于非金属接触区域，除空隙结构之外的部分对应于金属接触区域；然后沉积第二隧穿氧化硅层，空隙结构能够允许第二隧穿氧化硅层沉积于非金属接触区域；移除致密盖板后沉积非晶硅层，进行退火处理，形成磷掺杂多晶硅层；本发明方法制成的钝化接触结构在金属接触区域实现薄隧穿氧化层结构，在非金属接触区域实现二次沉积获得的厚隧穿氧化层结构，在整体上改善了体系的不利因素，调控了影响电池效率的关键因素，大大地提高了电池效率。

公开(公告)号：CN117542903A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311722997.7

申请日：2023-12-14

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 沈东东 ,  齐琦 ,  肖赞 ,  包俊杰 ,  黄沈虎 ,  王玲

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种钝化接触结构及其制备方法和应用，通过控制不同区域处于不同结构形态，交替设置隧穿氧化硅层和非晶硅层，进一步控制两层隧穿氧化硅层、两层非晶硅层之间在沉积时的厚度差，采用局域掩膜形成机制，可以通过蚀刻方法将非金属接触区域的隧穿层和非晶硅层全部去除，此时几乎不用考虑蚀刻速度和均匀性问题，当再次沉积第二隧穿氧化硅层、第二非晶硅层时，就实现了不同区域之间不同的结构形态，之后热处理将非晶硅层转变为多晶硅，该方法可控性强，容易操作，制成的钝化接触结构能够在表面复合、金属复合、界面接触电阻之间达成平衡，并使金属接触区域金属复合与接触电阻率低，非金属接触区域表面复合低并且光吸收损失小。

公开(公告)号：CN118658937A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202411154269.5

申请日：2024-08-22

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 杜哲仁 ,  王熠恒 ,  季根华 ,  沈东东 ,  张颖 ,  刘金鑫 ,  包俊杰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及具有选择性多晶硅层的钝化接触电池结构及制备方法，包括步骤：1）选取单晶硅片进行表面处理并形成绒面；2）对制绒硅片表面形成硼掺杂发射极；3）去除背面及边缘的BSG层；4）依次生长隧穿氧化层和本征多晶硅层；5）形成选择性多晶硅层；6）形成钝化层和减反膜层；7）金属电极的印刷和烧结。本发明一方面不仅使得非金属区域的多晶硅层减少了重掺杂对光的寄生吸收，提高光的利用率，提升光电转化效率；而且重掺杂更有助于与金属电极形成更好的欧姆接触，降低接触电阻率；另一方面掺杂碳或氧或氮元素，降低磷原子的活性，减少俄歇复合和SRH复合，同时有利于通过形成C‑H化学键来抑制H的逸出，更有利于促进表面的钝化。

公开(公告)号：CN118231518A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410272416.2

申请日：2024-03-11

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 沈东东 ,  陆俊宇 ,  瞿芳 ,  黄沈虎 ,  王玲 ,  李彦潼

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  C23C16/04

摘要： 本发明涉及PECVD制作的钝化膜开孔方法，其包括如下步骤：1)形成浆料层；2)高温灼烧；3)钝化膜层成型；4)清洗。本发明充分利用绝缘性浆料在PECVD沉积起到一定的阻碍，形成厚度有较大差异的钝化膜层，再结合有氧灼烧，以便于一次酸洗即可形成所需要的开孔，因此，既不使用激光，又不使用腐蚀性浆料，故，无激光损伤，降低硅片工艺过程中碎片率，同时更安全环保，且不受钝化膜层厚度的限制。

公开(公告)号：CN117976734A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410026290.0

申请日：2024-01-08

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 沈东东 ,  施毅 ,  肖陈 ,  包俊杰 ,  叶欢 ,  王玲

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及N型IBC电池结构及成型工艺，电池结构包括N型硅片、正面结构层、背面结构层及背场区电极和背发射极区电极，其中N型硅片的背面形成不同微观形貌的背表面发射区、中间隔离区、背场区；正面结构层包括前表面浮动结、前表面氧化层、前表面氮化层；背面结构包括背表面发射极、背场掺杂层、背表面氧化层以及背表面氮化层。一方面采用FFE结构，减少少数载流子横向传输的复合损失，提高空穴被背面发射极收集能力，同时允许背面BSF更宽的设计，即空穴传输收集损失小，电池效率更加稳定，且受硅片电阻率影响小；另一方面背场采用隧穿氧化硅钝化接触结构，中间隔离区为抛光形貌，复合较低，同时还可以在背面不同区域起到局域掺杂效果。

公开(公告)号：CN117317039A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311421567.1

申请日：2023-10-31

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 陆俊宇 ,  沈东东 ,  王玲 ,  王熠恒 ,  肖赟 ,  包俊杰

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及太阳能电池片及制备方法，电池片包括硅基体、掺杂层、金属层，金属层为贱金属层，太阳能电池片还包括形成在掺杂层和金属层之间金属氧化物层，贱金属层印刷成型在金属氧化物层的表面，贱金属层覆盖整个金属氧化物层表面，且形成接触面与硅基体表面平行；金属氧化物层能够形成能带弯曲以满足金属层与硅基体的复合和接触平衡。本发明能够同时兼顾金属和掺杂层之间的复合与接触，即，金属复合和接触电阻能够同时平衡，而且贱金属材料选择丰富，对于太阳能电池非硅成本的下降有很大益处，以达降本增效之目的。

公开(公告)号：CN117199188A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311271520.1

申请日：2023-09-28

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 沈东东 ,  齐琦 ,  瞿芳 ,  肖赟 ,  李彦潼

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

摘要： 本发明公开了一种钝化接触晶硅电池中间体、钝化接触晶硅电池以及它们的制备方法，该方法摒弃现有制绒和硼扩散后的抛光工艺，在去除背面的硼硅玻璃层后进行背面的二次制绒处理，相当于在一次绒面结构上进行再制绒，使得金字塔结构向预期方向转变，再次结合二氧化硅纳米球浆料，利用它热处理烘干之后可以实现二氧化硅纳米球的熔融、形变、相邻之间的互溶，从而可以形成厚度可控且致密的二氧化硅层充当掩膜，进而可在背面抛光后形成背面差异化形貌，有利于同时实现低表面复合和低界面接触电阻率，尤其该方式不仅只需一次掩膜设置，而且大大减少了对已有结构的不可逆损伤，使钝化接触晶硅电池的各方面性能获得了明显的保持甚至显著的提升。

公开(公告)号：CN118693169A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410971218.5

申请日：2024-07-18

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 杜哲仁 ,  季根华 ,  沈东东 ,  黄策 ,  张颖 ,  王熠恒 ,  刘金鑫 ,  马丽敏

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/056 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种具有选择性多晶硅层的钝化接触电池及其制备方法。该电池采用选择性多晶硅层掺杂技术，在多晶硅层的局部区域间隔设置掺杂多晶硅层，在背面钝化减反射层上间隔设置局域凹槽，金属栅线仅在凹槽区域与掺杂多晶硅层形成接触，非局域开孔区域，金属栅线悬浮在减反射膜层上，不与掺杂多晶硅层形成接触。由于本征多晶硅层不存在自由载流子吸收现象，不会对波长大于950nm的光子形成寄生性吸收，可以显著降低光学损失。局域开槽的设置，能降低金属栅线对长波光子的吸收，非局域开孔区域的金属栅线与减反射膜层会构成背反射器，可以更有效地将长波光子反射回硅衬底，被重新吸收利用，提高长波光子的利用率。

公开(公告)号：CN118596727A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410868470.3

申请日：2024-06-28

申请人： 江苏林洋太阳能有限公司

发明人： 杜哲仁 ,  童卫红 ,  沈东东 ,  季根华 ,  陆俊宇 ,  包俊杰 ,  杨阳

IPC分类号： B41M1/12 ,  B41M1/40 ,  B41F15/34

摘要： 本发明涉及基于一次印刷以筛选获取浆料印刷性的方法及网版，其方法包括如下步骤：S1、预设网版图形；S2、浆料印刷烧结；S3、EL测试。本发明一方面基于同一网版上设置不同网版线宽参数进行分区和一次印刷、烧结及EL测试，即，经过筛选一次性获取该款浆料多种网版参数、多种印刷参数条件下的印刷性，从而准确的判断浆料印刷性和浆料最佳印刷条件，且工作量小；另一方面测试后的电池片因图形与量产图形一致，仍可以制作成组件，降低实验成本。