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公开(公告)号：CN118073436A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410338332.4
申请日：2023-12-27
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种钝化接触结构及其应用，该钝化接触结构中，电池背面为局域的钝化接触结构，可以降低光学损失，提高短路电流密度；背面的金属电极位于第一氧化层上，第一氧化层具有相对更高致密性、厚度厚的特点，在烧结的过程中可以避免金属电极形成“金属穿刺”，相比于常规的结构，降低了金属接触区域的复合，可以提高开路电压；相比于常规结构中整面的隧穿氧化层，背面第二氧化层为局域的隧穿氧化层，虽然面积占比降低，但对于载流子的收集影响较小，仅会导致填充因子的略微降低，进而可以用于多晶硅钝化接触电池中，将使电池具有更高的转换效率。
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公开(公告)号：CN117497643B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311810218.9
申请日：2023-12-27
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种钝化接触结构、多晶硅钝化接触电池及制备方法，该钝化接触结构中，电池背面为局域的钝化接触结构，可以降低光学损失，提高短路电流密度；背面的金属电极位于第一氧化层上，第一氧化层具有相对更高致密性、厚度厚的特点，在烧结的过程中可以避免金属电极形成“金属穿刺”，相比于常规的结构，降低了金属接触区域的复合，可以提高开路电压；相比于常规结构中整面的隧穿氧化层，背面第二氧化层为局域的隧穿氧化层，虽然面积占比降低，但对于载流子的收集影响较小，仅会导致填充因子的略微降低，进而可以用于多晶硅钝化接触电池中，将使电池具有更高的转换效率。
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公开(公告)号：CN117976734A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410026290.0
申请日：2024-01-08
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及N型IBC电池结构及成型工艺，电池结构包括N型硅片、正面结构层、背面结构层及背场区电极和背发射极区电极，其中N型硅片的背面形成不同微观形貌的背表面发射区、中间隔离区、背场区；正面结构层包括前表面浮动结、前表面氧化层、前表面氮化层；背面结构包括背表面发射极、背场掺杂层、背表面氧化层以及背表面氮化层。一方面采用FFE结构，减少少数载流子横向传输的复合损失，提高空穴被背面发射极收集能力，同时允许背面BSF更宽的设计，即空穴传输收集损失小，电池效率更加稳定，且受硅片电阻率影响小；另一方面背场采用隧穿氧化硅钝化接触结构，中间隔离区为抛光形貌，复合较低，同时还可以在背面不同区域起到局域掺杂效果。
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公开(公告)号：CN118588802A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410585655.3
申请日：2024-05-11
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225 , C30B29/06 , C30B31/16
摘要： 本发明涉及N+poly重掺杂结构层的磷扩散方法，其包括如下步骤：1)升温；2)前氧化；3)磷源沉积；4)高温推进；5)炉管恢复常压，降温出管，其中磷源沉积包括三步磷源沉积，小氮气：氧气的比例为1～5：1，且沉积过程中POCL3的源温为25℃～80℃。本发明一方面三步磷源沉积有效降低高低温通源时间，稳定整体通源过程，有效提升扩散方阻均匀性，同时在高磷固溶度下进行恒定浓度的磷扩散，可有效提升磷掺杂表面浓度；另一方面基于加大沉积中携源量的比例，以满足N+poly层中固溶度提升对更多磷源量的需求，从而最终实现了磷在N+poly中的高浓度掺杂。
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公开(公告)号：CN117497643A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311810218.9
申请日：2023-12-27
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种钝化接触结构、多晶硅钝化接触电池及制备方法，该钝化接触结构中，电池背面为局域的钝化接触结构，可以降低光学损失，提高短路电流密度；背面的金属电极位于第一氧化层上，第一氧化层具有相对更高致密性、厚度厚的特点，在烧结的过程中可以避免金属电极形成“金属穿刺”，相比于常规的结构，降低了金属接触区域的复合，可以提高开路电压；相比于常规结构中整面的隧穿氧化层，背面第二氧化层为局域的隧穿氧化层，虽然面积占比降低，但对于载流子的收集影响较小，仅会导致填充因子的略微降低，进而可以用于多晶硅钝化接触电池中，将使电池具有更高的转换效率。
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公开(公告)号：CN117438496A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311271285.8
申请日：2023-09-28
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了双面钝化接触电池结构的制备工艺及电池结构，其工艺包括步骤：选择N型硅片进行双面抛光；沉积硅片双面的隧穿氧化硅层及本征多晶硅层，并掺杂形成p‑poly层；进行单面刻蚀；正面制绒处理；双面沉积氧化硅层及本征多晶硅层，并掺杂形成n‑poly层；背面进行单面刻蚀；通过激光对非接触区域进行消融；二次制绒并清洗正面PSG层和背面BSG层；形成正面氧化层；沉积正面钝化层；在背面依次沉积表面带负电荷的膜层和背面钝化层；印刷形成金属电极。本发明不仅降低了金属接触复合，提高电池转换效率，避免掺杂带来的复合，而且减少多晶硅层而带来的寄生吸收，提高硅基体对光的吸收，有利于电池的短路电流的提升。
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公开(公告)号：CN117293200A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311285881.1
申请日：2023-09-28
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了双面钝化接触电池结构，其包括硅基体、正面电极和背面电极，其中正面电极的正面遂穿层和正面掺杂层形成接触区域段，接触区域段填补在硅基体上并与硅基体的正面一体构成连续的接触面，接触面呈平面或绒面，正面电极还包括形成在接触面上且表面与接触面平行的正面氧化层，正面钝化层形成在正面氧化层上且表面与接触面平行，金属电极位于接触区域段所对齐的正面钝化层的区域内、且印刷在正面钝化层的表面。本发明一方面降低了金属接触复合，且所形成的正面非接触区域段可以直接避免掺杂带来的复合；另一方面减少正面非接触区域存在多晶硅层而带来的寄生吸收，提高硅基体对光的吸收，有利于电池的短路电流的提升。
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公开(公告)号：CN221508121U
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202323264002.5
申请日：2023-11-30
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了太阳能电池生产用的硅片载架，其包括上载板、下载板、多根载架杆，其中各载架杆上的齿槽一一对齐形成自上而下间隔分布的多个装载区间，各硅片水平和对齐的插装并定位于各装载区间内，硅片载架还包括连杆、挂耳、以及加强杆。本实用新型一方面采用斜面支撑，使硅片放置后稳固性大幅度提升，载架转载时造成晃动的概率低，同时在两个硅片距离的设定下，不仅避免硅片之间的沉积遮挡，而且也有足够的空间供硅片的插装，降低硅片边缘损伤概率；另一方面通过连杆、挂耳、加强杆的设置，不仅有效增强载架自身稳定性，而且十分方便在各个工序中的转载和沉积加工，同时，结构简单，成本低。
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公开(公告)号：CN221379319U
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202323269626.6
申请日：2023-11-30
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了电池片石英舟，其包括舟顶板、舟底板以及多根石英舟棒，其中各石英舟棒长度方向上均匀间隔排布有上下对齐的多个舟齿，上下相邻两个舟齿之间形成单个齿槽，各石英舟棒上的单个齿槽对齐并形成单个电池片水平插装的放置槽。本实用新型一方面通过进出端口的设置，降低自动化装卸造成的碰撞概率，从而降低硅片出现崩边或者隐裂的概率；另一方面采用斜面支撑，使硅片放置后稳固性大幅度提升，石英舟转载时造成晃动的概率低，而且硅片进出石英舟的间隙增大，降低硅片取放、石英舟转载过程中造成硅片晃动或碰撞而导致边缘损伤的概率，同时所形成的接触，有效地降低电池片工序中，因石英舟的尺寸大小、石英棒间距的遮挡及其他一些原因对硅片表面吸附生长非晶硅薄膜会产生影响。
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公开(公告)号：CN221613900U
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202420044615.3
申请日：2024-01-08
申请人： 江苏林洋太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了N型IBC电池结构，其包括N型硅片、正面结构层、背面结构层及背场区电极和背发射极区电极，其中N型硅片的背面形成不同微观形貌的背表面发射区、中间隔离区、背场区；正面结构层包括前表面浮动结、前表面氧化层、前表面氮化层；背面结构包括背表面发射极、背场掺杂层、背表面氧化层以及背表面氮化层。本实用新型一方面采用FFE结构，可以减少少数载流子横向传输的复合损失，提高空穴被背面发射极收集能力，同时允许背面BSF更宽的设计，即空穴传输收集损失小，同时效率更加稳定，且受硅片电阻率影响小；另一方面背场采用隧穿氧化硅钝化接触结构，表面复合和金属复合较低，中间隔离区为抛光形貌，表面复合低。
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