本申请公开了一种砷化镓芯片安装测试结构和方法，将红光LED芯片放置于电路背板的对应电性接触点后，再用排布有氮化镓材料凸起结构的蓝宝石衬底压实。通过摄像头拍摄的监测图像可以分析出各个LED芯片的发光亮度，实现对红光LED芯片的测试。控制激光照射系统对整个蓝宝石衬底进行照射，使得氮化镓材料转化为氮气以冲击所述LED芯片的N型半导体层，减薄具有吸光能力的N型半导体层，提高红光LED芯片的发光效率。本申请可以在对红光LED芯片进行测试的同时，提升红光LED芯片的发光效率。