发明授权
- 专利标题: 一种砷化镓芯片安装测试结构和方法
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申请号: CN202410010882.3申请日: 2024-01-04
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公开(公告)号: CN117516707B公开(公告)日: 2024-05-14
- 发明人: 余夕霞
- 申请人: 上海聚跃检测技术有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张东路1388号2幢101室
- 专利权人: 上海聚跃检测技术有限公司
- 当前专利权人: 上海聚跃检测技术有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张东路1388号2幢101室
- 代理机构: 苏州三英知识产权代理有限公司
- 代理商 席勇
- 主分类号: G01J1/42
- IPC分类号: G01J1/42 ; H01L25/16 ; G01J1/02 ; G01R1/04 ; G01R31/28 ; G01R31/44
摘要:
本申请公开了一种砷化镓芯片安装测试结构和方法,将红光LED芯片放置于电路背板的对应电性接触点后,再用排布有氮化镓材料凸起结构的蓝宝石衬底压实。通过摄像头拍摄的监测图像可以分析出各个LED芯片的发光亮度,实现对红光LED芯片的测试。控制激光照射系统对整个蓝宝石衬底进行照射,使得氮化镓材料转化为氮气以冲击所述LED芯片的N型半导体层,减薄具有吸光能力的N型半导体层,提高红光LED芯片的发光效率。本申请可以在对红光LED芯片进行测试的同时,提升红光LED芯片的发光效率。
公开/授权文献
- CN117516707A 一种砷化镓芯片安装测试结构和方法 公开/授权日:2024-02-06