发明公开
CN117525163A 薄膜晶体管
审中-实审
- 专利标题： 薄膜晶体管
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申请号： CN202311529929.9申请日： 2020-02-05
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公开(公告)号： CN117525163A公开(公告)日： 2024-02-06
- 发明人: 池田匡孝 , 林宏宜 , 田中仁
- 申请人： 株式会社日本显示器
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社日本显示器
- 当前专利权人： 株式会社日本显示器
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 李文屿
- 优先权： 2019-019792 2019.02.06 JP
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; G02F1/16755 ; G02F1/16757 ; G02F1/1676 ; H01L27/12
摘要：
提供能利用多个电流路进行驱动的薄膜晶体管。半导体基板具备第一基材、栅极线(G)、源极线(S)、绝缘膜、第一像素电极(PE1)、以及在源极线(S)与第一像素电极(PE1)之间并联连接的第一晶体管(Tr1)和第二晶体管(Tr2)。第一晶体管(Tr1)的第一半导体层(SC1)和第二晶体管(Tr2)的第二半导体层(SC2)分别具有第一区域(R1)、第二区域(R2)以及沟道区域(RC)。第一半导体层(SC1)和第二半导体层(SC2)与第一表面接触，所述第一表面是上述绝缘膜的源极线(S)侧的面。第一半导体层(SC1)和第二半导体层(SC2)各自的沟道区域(RC)的整体与栅极线(G)重叠。
IPC分类:
