本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体领域。晶体管包括：衬底、体区、漂移区、源极、漏极、栅极和场板，场板形成于衬底内，场板形成区域包括碗状凹槽和倒梯形凹槽，场板包括内壁氧化层和氧化填充层，内壁氧化层形成于碗状凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底，以及倒梯形凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底，内壁氧化层为平滑的层状结构，在碗状凹槽内形成碗状填充区域和倒梯形填充区域，氧化填充层填充于碗状填充区域和倒梯形填充区域内，内壁氧化层的致密性大于氧化填充层的致密性。通过本发明提供的横向双扩散场效应晶体管，能够在提升击穿电压的同时降低晶体管的导通电阻，优化器件的性能，提高器件可靠性寿命。