发明授权
- 专利标题: 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
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申请号: CN202311681348.7申请日: 2023-12-06
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公开(公告)号: CN117579026B公开(公告)日: 2024-07-23
- 发明人: 蔡耀 , 高超 , 邹杨 , 周杰 , 林炳辉 , 丁志鹏 , 国世上
- 申请人: 武汉敏声新技术有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 专利权人: 武汉敏声新技术有限公司
- 当前专利权人: 武汉敏声新技术有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 胡彬
- 主分类号: H03H9/17
- IPC分类号: H03H9/17 ; H03H9/13 ; H03H9/02 ; H03H3/02
摘要:
本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法,该薄膜体声波谐振器包括衬底结构、挡墙结构、种子层结构和堆叠谐振结构;衬底结构包括第一衬底层、埋氧层和第二衬底层,并且第二衬底层包括空腔和第二衬底本体;挡墙结构位于第二衬底本体靠近空腔的一侧;种子层结构包括单晶氮化铝种子层,单晶氮化铝种子层包括第一牺牲通道,第一牺牲通道贯穿单晶氮化铝种子层;沿种子层结构厚度方向,第一牺牲通道的投影与空腔的投影存在交叠;堆叠谐振结构包括第二牺牲通道,第二牺牲通道贯穿堆叠谐振结构;沿种子层结构厚度方向,第一牺牲通道的投影与第二牺牲通道的投影重合。通过设置单晶氮化铝种子层可以保证薄膜体声波谐振器的整体性能更优。
IPC分类: