本发明涉及半导体领域，涉及一种多晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1，准备硅片作为衬底，对衬底进行超声清洗后，干燥备用；步骤2，在衬底上涂覆活性液，经过一定温度的处理后，形成活性层；步骤3，将衬底制备有活性层的一面使用激光加热处理，即在衬底上形成中间层；步骤4，在中间层上通过化学气相沉积法沉积非晶硅层；步骤5，对衬底预热处理后，再对非晶硅层进行晶化处理，得到多晶硅薄膜。本发明在常规制备多晶硅薄膜的基础上做了一定的改进，目的在于提升制备的多晶硅薄膜的质量，即降低多晶硅薄膜制备过程中产生的晶界、位错以及点缺陷等问题，提升多晶硅薄膜的晶化率以及改善晶粒大小的均匀性，进而提升薄膜晶体管的电学特性。