发明公开
- 专利标题: 一种带电容电压系数消除和电容复用的SARADC电容阵列
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申请号: CN202311744402.8申请日: 2023-12-18
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公开(公告)号: CN117749188A公开(公告)日: 2024-03-22
- 发明人: 王国奥 , 王宗民 , 张铁良 , 邴兆航 , 赵进才 , 刘清远
- 申请人: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
- 申请人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 专利权人: 北京微电子技术研究所,北京时代民芯科技有限公司
- 当前专利权人: 北京微电子技术研究所,北京时代民芯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 杨春颖
- 主分类号: H03M1/46
- IPC分类号: H03M1/46 ; H03M1/10 ; H03M1/06 ; H03M1/12
摘要:
本发明公开了一种带电容电压系数消除和电容复用的SARADC电容阵列,包括:两组高段P端拆分采样电容CPH1,1~CPH1,j、CPH2,1~CPH2,j、两组高段N端拆分采样电容CNH1,1~CNH1,j、CNH2,1~CNH2,j、低段P端比特位电容CPL,1~CPL,i、低段N端比特位电容CNL,1~CNL,i、P端符号位电容CSP1~CSP2、N端符号位电容CSN1~CSN2、N端桥接电容CNB1~CNB2、P端桥接电容CPB1~CPB2、N端连接开关SN1~SN4和P端连接开关SP1~SP4。本发明将高段采样电容阵列被拆分成相同的两端,两端的电容分别使用顶板和底板进行采样,抵消了电容的一阶电压系数;采样的过程基于VDD和GND进行,无需额外的VCM电压;独立的符号位电容通过开关切换参与到后续的量化过程,进一步减小了所需要的电容数量。
IPC分类: