发明授权
- 专利标题: 半导体器件的封装结构和封装方法
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申请号: CN202410190217.7申请日: 2024-02-20
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公开(公告)号: CN117766470B公开(公告)日: 2024-05-14
- 发明人: 李文源 , 李浩 , 李学宝 , 金锐 , 崔翔 , 李哲洋 , 赵志斌 , 郑超 , 周扬
- 申请人: 北京怀柔实验室 , 北京智慧能源研究院 , 华北电力大学
- 申请人地址: 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室; ;
- 专利权人: 北京怀柔实验室,北京智慧能源研究院,华北电力大学
- 当前专利权人: 北京怀柔实验室,北京智慧能源研究院,华北电力大学
- 当前专利权人地址: 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室; ;
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王晓玲
- 主分类号: H01L23/053
- IPC分类号: H01L23/053 ; H01L23/31 ; H01L21/50 ; H01L21/52 ; H01L21/56
摘要:
本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法,该半导体器件的封装结构包括:绝缘基板,绝缘壳体,多个绝缘肋条和半导体器件,其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间,绝缘壳体具有顶面和侧壁,至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构;多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间,绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接,相邻条状结构之间具有间隔区域,绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端,绝缘肋条的两端突出于间隔区域,第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向;半导体器件设置于容纳空间中;该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
公开/授权文献
- CN117766470A 半导体器件的封装结构和封装方法 公开/授权日:2024-03-26
IPC分类: