-
公开(公告)号：CN118969739A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC分类号： H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
摘要： 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
-
公开(公告)号：CN117766470B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
-
公开(公告)号：CN117766470A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
-
公开(公告)号：CN118943094A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411438305.0
申请日：2024-10-15
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49
摘要： 本发明提供了一种半导体封装结构，包括：壳体，包括基板；第一半导体芯片，与基板连接；第一金属连接部，连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接；第二金属连接部，与第一金属连接部间隔设置，第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接；第一端子，与第一金属连接部电连接；第二端子，与第二金属连接部电连接；第一绝缘凸块，设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。
-
公开(公告)号：CN118962377A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411445507.8
申请日：2024-10-16
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请提供了一种碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法和系统，该方法由于将高温烘箱的温度调节为预设最高工作结温，并以不断提高直流源模组输出的反向偏压为基准，对测试组不断施加反向偏压，从而实现了高温耐压极限值的测试目的，另外在每次对测试组施加反向偏压持续第一预设时间之后，根据测试组的当前电学性能参数的大小，确定测试组的高温耐压极限值是否为当前次的反向偏压，且测试组的当前电学性能参数包括测试组的碳化硅器件的当前栅极漏电流、当前阈值电压和当前漏极漏电流，从而使得测试组的高温耐压极限值的确定更加符合实际工况，进而解决了现有方案对SiC MOSFET高温耐压极限值的确定的效率较低的问题。
-
公开(公告)号：CN118962376A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411445503.X
申请日：2024-10-16
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请提供了一种待测碳化硅器件的栅极氧化层失效的测试方法和系统。该方法根据栅极漏电流映射关系和阈值电压映射关系，确定目标待测碳化硅器件的极限栅压、基准栅极漏电流和目标斜坡电压，从而得以精确地得到判断待测碳化硅器件的栅极氧化层是否失效的所需参数，最后采用基准栅极漏电流和目标斜坡电压，对非目标待测碳化硅器件进行测试，确定非目标待测碳化硅器件的栅极氧化层是否失效，通过判断阈值电压减小和栅极漏电流增大筛选出有栅极氧化层缺陷的器件，从而解决了现有方案缺乏一种高效快速筛选碳化硅器件栅极氧化层失效的方案的问题。
-
公开(公告)号：CN117747673A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410192311.6
申请日：2024-02-21
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本申请涉及一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括依次层叠的第一导电类型结构、半导体结构和第二导电类型结构；半导体结构靠近第二导电类型结构的表面具有向第一导电类型结构所在方向延伸的岛状区域；第二导电类型结构包括平面部及凸出部；其中，凸出部与岛状区域一一对应设置，平面部与凸出部相连接，平面部的掺杂浓度小于或等于凸出部的掺杂浓度。本申请可以实现静态正向导通特性与动态反向恢复特性的折中优化，减少功率二极管的双极退化现象，有利于提升功率二极管的电学性能。
-
公开(公告)号：CN117747675A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410187565.9
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管包括：漂移层，多个掺杂区和接触金属，其中漂移层位于衬底的一侧，漂移层具有第一掺杂类型；多个掺杂区位于漂移层中，各掺杂区包括一一对应接触的第一子掺杂区和第二子掺杂区，第二子掺杂区的掺杂浓度大于第一子掺杂区的掺杂浓度，掺杂区具有第二掺杂类型；接触金属位于第一表面上，接触金属与至少一个第二表面接触，接触金属与第二子掺杂区接触形成类欧姆接触，提高了肖特基二极管的高抗浪涌电流特性，本申请在未增加工艺步骤的前提下，通过提升掺杂区注入浓度使得第二子掺杂区的与接触金属之间形成类欧姆接触，从而在正向电压较大时，使肖特基二极管中的，体现出高抗浪涌电流特性。
-
公开(公告)号：CN118352392A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410395674.X
申请日：2024-04-02
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L21/336
摘要： 本申请公开了一种抗浪涌电流碳化硅MOSFET及其制备方法，该MOSFET包括：衬底具有外延层，外延层背离衬底的一侧具有第一表面，外延层具有肖特基接触区；源栅结构具有源极、栅极和氧化层，栅极和源极均与外延层间隔设置；掺杂区包括第一区域和第二区域，部分第一区域位于外延层和源极之间，部分第二区域位于外延层和栅极之间，源极与第二表面的垂直距离小于栅极与第二表面的垂直距离；源极电极与肖特基接触区和第二掺杂区接触，且源极电极覆盖源栅结构；漏极电极；该MOSFET通过肖特基接触区提高了器件的反向特性，降低了器件的反向开启压降，均衡了器件浪涌鲁棒性，提升了器件功率密度和长期可靠性。
-
公开(公告)号：CN117747673B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410192311.6
申请日：2024-02-21
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本申请涉及一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括依次层叠的第一导电类型结构、半导体结构和第二导电类型结构；半导体结构靠近第二导电类型结构的表面具有向第一导电类型结构所在方向延伸的岛状区域；第二导电类型结构包括平面部及凸出部；其中，凸出部与岛状区域一一对应设置，平面部与凸出部相连接，平面部的掺杂浓度小于或等于凸出部的掺杂浓度。本申请可以实现静态正向导通特性与动态反向恢复特性的折中优化，减少功率二极管的双极退化现象，有利于提升功率二极管的电学性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
51 条记录 (耗时 0.068 秒)
