发明公开
- 专利标题: 一种具有双向扭曲结构的二碲化铌、制备方法及应用
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申请号: CN202311822221.2申请日: 2023-12-27
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公开(公告)号: CN117779200A公开(公告)日: 2024-03-29
- 发明人: 郭中楠 , 岳浩宇 , 袁文霞
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构: 北京金智普华知识产权代理有限公司
- 代理商 朱艳华
- 主分类号: C30B29/46
- IPC分类号: C30B29/46 ; C30B9/12 ; C30B33/02
摘要:
本发明属于纳米材料领域,尤其涉及一种具有双向扭曲结构的二碲化铌、制备方法及应用。该制备方法,具体包括以下步骤:按照设计配比分别称取助熔剂、铌和碲,置于反应容器中,备用;将得到的装有原料的反应容器置于石英管中后抽真空并封装,备用;将封装的石英管置于加热设备中进行加热使物料熔化,保温一定时间后,再进行热处理,将石英管取出后离心,除去多余的助熔剂,即获得具有双向扭曲结构的二碲化铌NbTe2。本发明可适用于场效应晶体管等二维器件的组装。本发明合成方法简单、原料低廉、易于大量制备。
IPC分类: