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公开(公告)号：CN117535799A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311822223.1
申请日：2023-12-27
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种层状过渡金属碲化物纳米单晶材料及其合成方法，该方法的步骤为：按照设计配比分别称取钽粉、锗粉和碲粉，混合均匀后加入反应器中，再加入碘粒，封装反应器，置于加热设备中进行加热处理，得到多晶物料；再将多晶物料反应炉中进行化学气相传输法处理，冷却后即得到层状过渡金属碲化物纳米单晶材料。该层状材料的载流子浓度在300K和2K时分别为2.18×1021cm‑3和1.46×1021cm‑3，电子迁移率分别为10.01cm2V‑1s‑1和20.72cm2V‑1s‑1。Ta3GeTe6在低磁场中表现出磁阻对磁场的线性依赖性行为，本发明合成方法简单、成本低，易于大量合成。
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公开(公告)号：CN117779200A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311822221.2
申请日：2023-12-27
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明属于纳米材料领域，尤其涉及一种具有双向扭曲结构的二碲化铌、制备方法及应用。该制备方法，具体包括以下步骤：按照设计配比分别称取助熔剂、铌和碲，置于反应容器中，备用；将得到的装有原料的反应容器置于石英管中后抽真空并封装，备用；将封装的石英管置于加热设备中进行加热使物料熔化，保温一定时间后，再进行热处理，将石英管取出后离心，除去多余的助熔剂，即获得具有双向扭曲结构的二碲化铌NbTe2。本发明可适用于场效应晶体管等二维器件的组装。本发明合成方法简单、原料低廉、易于大量制备。
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公开(公告)号：CN117535798A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311822222.7
申请日：2023-12-27
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种二碲化钒单晶材料的液相生长方法及应用，该方法是利用碱金属钾的多碲化物做助熔剂，通过原料配比控制钒的价态生长高质量VTe2单晶。将K、V和Te原料以设定好的摩尔比混合，装入氧化铝坩埚后封装在石英管中，加热至高温使原料熔化后冷却并离心获得二碲化钒单晶材料。该液相生长方法能够实现在相对较低的温区生长VTe2晶体，获得的晶体含有约8％的钒空位，同时表现出顺磁性质。此外，该晶体生长方法能够便捷地向VTe2中进行Fe和Co等其它3d过渡金属元素的掺杂。与气相输运法相比，该液相生长VTe2晶体的方法具有温区低、周期短和易实现元素掺杂的优势，可以用于高效生长高质量VTe2单晶以用于物性测试分析和相关二维材料的制备。
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公开(公告)号：CN117166057A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311067685.7
申请日：2023-08-23
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种提高碳化硅单晶生长速率的方法，该方法是基于多元相图，通过稀土元素Ce的含量控制助溶液中碳的溶解度。在液相法生长碳化硅晶体过程中采用Si‑Cr‑Ce三元助溶熔体，将三元助溶熔体中Si的含量固定为60％，Ce含量为6％～12％，以此控制碳化硅单晶的生长速率。本发明设计的助溶液在保证单晶稳定生长的同时，能够显著提升单晶生长速率，利用高Ce含量助溶液生长碳化硅单晶的生长速率可达150μm/h。此外，该助溶液能够实现在相对较低的1700至1850℃温区生长碳化硅晶体。在液相法生长碳化硅单晶的过程中，以多元相图为指导，利用调节Ce的成分优化设计助溶液，在实现晶体稳态生长的同时，提升晶体生长速率，并降低生长温度，从而达到节约能耗的目的。
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公开(公告)号：CN114049821A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111402152.0
申请日：2021-11-19
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： G09B23/18
摘要： 本发明公开了一种一阶电路过渡过程实验教学系统和方法，该系统包括：客户端、服务器以及实验装置；其中，客户端用于向用户显示实验电路电路图、实验参数设定界面和数据表格；服务器用于根据客户端上传的实验电路类型和实验参数，计算出时间常数理论值和数据采集时间长度，并确定激励信号类型；实验装置与实验电路连接，用于在服务器的指令下，向实验电路输出指定的激励信号，并同时采集实验电路的响应波形数据，将采集的数据显示给用户，同时将采集的数据传输给服务器，由服务器传输给客户端进行显示。
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