公开(公告)号：CN117535798A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311822222.7

申请日：2023-12-27

申请人： 北京科技大学

发明人： 郭中楠 ,  李雨彤 ,  岳浩宇 ,  袁文霞

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B25/00

摘要： 本发明公开了一种二碲化钒单晶材料的液相生长方法及应用，该方法是利用碱金属钾的多碲化物做助熔剂，通过原料配比控制钒的价态生长高质量VTe2单晶。将K、V和Te原料以设定好的摩尔比混合，装入氧化铝坩埚后封装在石英管中，加热至高温使原料熔化后冷却并离心获得二碲化钒单晶材料。该液相生长方法能够实现在相对较低的温区生长VTe2晶体，获得的晶体含有约8％的钒空位，同时表现出顺磁性质。此外，该晶体生长方法能够便捷地向VTe2中进行Fe和Co等其它3d过渡金属元素的掺杂。与气相输运法相比，该液相生长VTe2晶体的方法具有温区低、周期短和易实现元素掺杂的优势，可以用于高效生长高质量VTe2单晶以用于物性测试分析和相关二维材料的制备。

公开(公告)号：CN117779200A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311822221.2

申请日：2023-12-27

申请人： 北京科技大学

发明人： 郭中楠 ,  岳浩宇 ,  袁文霞

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B9/12 ,  C30B33/02

摘要： 本发明属于纳米材料领域，尤其涉及一种具有双向扭曲结构的二碲化铌、制备方法及应用。该制备方法，具体包括以下步骤：按照设计配比分别称取助熔剂、铌和碲，置于反应容器中，备用；将得到的装有原料的反应容器置于石英管中后抽真空并封装，备用；将封装的石英管置于加热设备中进行加热使物料熔化，保温一定时间后，再进行热处理，将石英管取出后离心，除去多余的助熔剂，即获得具有双向扭曲结构的二碲化铌NbTe2。本发明可适用于场效应晶体管等二维器件的组装。本发明合成方法简单、原料低廉、易于大量制备。

公开(公告)号：CN117535799A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311822223.1

申请日：2023-12-27

申请人： 北京科技大学

发明人： 郭中楠 ,  韩雪 ,  岳浩宇 ,  袁文霞

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B25/00

摘要： 本发明公开了一种层状过渡金属碲化物纳米单晶材料及其合成方法，该方法的步骤为：按照设计配比分别称取钽粉、锗粉和碲粉，混合均匀后加入反应器中，再加入碘粒，封装反应器，置于加热设备中进行加热处理，得到多晶物料；再将多晶物料反应炉中进行化学气相传输法处理，冷却后即得到层状过渡金属碲化物纳米单晶材料。该层状材料的载流子浓度在300K和2K时分别为2.18×1021cm‑3和1.46×1021cm‑3，电子迁移率分别为10.01cm2V‑1s‑1和20.72cm2V‑1s‑1。Ta3GeTe6在低磁场中表现出磁阻对磁场的线性依赖性行为，本发明合成方法简单、成本低，易于大量合成。