发明公开
- 专利标题: 一种基片的刻蚀方法及其半导体器件
-
申请号: CN202211197076.9申请日: 2022-09-29
-
公开(公告)号: CN117810077A公开(公告)日: 2024-04-02
- 发明人: 张凯 , 徐伟娜 , 侯剑秋 , 吴紫阳 , 张一川
- 申请人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海元好知识产权代理有限公司
- 代理商 南慧荣; 徐雯琼
- 主分类号: H01L21/311
- IPC分类号: H01L21/311 ; H10B41/35 ; H10B41/20 ; H10B43/35 ; H10B43/20 ; C09K13/00 ; H01L21/3065
摘要:
本发明公开了一种基片的刻蚀方法及其半导体器件,该方法包含如下步骤:将基片传送至处理室中;向处理室中通入刻蚀气体和钝化气体,刻蚀气体包括一种或多种含碳的氟化气体以在基片上刻蚀出凹陷结构;钝化气体包括第一钝化气体和第二钝化气体,用于在凹陷结构的侧壁上形成刻蚀保护区,第一钝化气体包括卤素单质和/或卤化氢气体,所述第二钝化气体包括气化的重金属掺杂剂;在处理过程中,第二钝化气体的气体总量小于第一钝化气体的气体总量。其优点是:该方法通过含氟自由基可实现对基片的有效快速刻蚀,通过含碳自由基协同钝化气体在凹陷结构侧壁上形成刻蚀保护区,以避免刻蚀气体造成凹陷结构侧壁的差异化扩展,进一步保证凹陷结构侧壁的平整性。