公开(公告)号：CN117737692A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202211114610.5

申请日：2022-09-14

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 陈恩毅 ,  闫韬 ,  张凯 ,  丛海 ,  姜勇

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供一种温度控制系统，用于化学气相沉积设备，所述设备包含一反应室，所述反应室内设有用于放置基片的基座，所述基片包括一中心区域，和环绕所述中心区域设置的边缘区域，所述边缘区域包括多个方位角不同的边缘控温区域，所述系统包含：多个加热元件，分别独立地加热所述中心区域和所述边缘控温区域；多个第一测温仪，分别用于测量中心区域和边缘控温区域的温度；控制器，其存储有温度控制模型；所述温度控制模型被配置为基于反应室内沉积工艺的工艺参数和多个第一测温仪测量的温度值，独立控制所述中心区域和所述边缘控温区域对应的各加热元件的功率，实现基片表面温度分布均匀。本发明还提供一种化学气相沉积设备及一种温度控制方法。

公开(公告)号：CN117810077A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211197076.9

申请日：2022-09-29

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 张凯 ,  徐伟娜 ,  侯剑秋 ,  吴紫阳 ,  张一川

IPC分类号： H01L21/311 ,  H10B41/35 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  C09K13/00 ,  H01L21/3065

摘要： 本发明公开了一种基片的刻蚀方法及其半导体器件，该方法包含如下步骤：将基片传送至处理室中；向处理室中通入刻蚀气体和钝化气体，刻蚀气体包括一种或多种含碳的氟化气体以在基片上刻蚀出凹陷结构；钝化气体包括第一钝化气体和第二钝化气体，用于在凹陷结构的侧壁上形成刻蚀保护区，第一钝化气体包括卤素单质和/或卤化氢气体，所述第二钝化气体包括气化的重金属掺杂剂；在处理过程中，第二钝化气体的气体总量小于第一钝化气体的气体总量。其优点是：该方法通过含氟自由基可实现对基片的有效快速刻蚀，通过含碳自由基协同钝化气体在凹陷结构侧壁上形成刻蚀保护区，以避免刻蚀气体造成凹陷结构侧壁的差异化扩展，进一步保证凹陷结构侧壁的平整性。