发明公开
- 专利标题: 一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜厚度的控制方法
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申请号: CN202310209344.2申请日: 2023-03-07
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公开(公告)号: CN117821914A公开(公告)日: 2024-04-05
- 发明人: 李志隆 , 吴佳云 , 陈功 , 薛雯丽 , 柏昕言 , 王震 , 吴晨昊 , 董文贤 , 王梓翔 , 叶奕琳 , 李鹏远 , 屠泽锋 , 陆靖皓
- 申请人: 常州工学院
- 申请人地址: 江苏省常州市新北区辽河路666号
- 专利权人: 常州工学院
- 当前专利权人: 常州工学院
- 当前专利权人地址: 江苏省常州市新北区辽河路666号
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/54 ; C23C14/58 ; C23C14/50
摘要:
本发明公开了一种磁控溅射镀膜厚度的控制方法,包括:S1:训练模拟阶段工艺参数,通过粗调阶段工艺参数时数值的设定和微调阶段工艺参数时数值的设定,打开溅射电源后,得到时间‑镀膜厚度曲线,通过数学公式拟合该曲线用于观察基材的镀膜厚度变化;S2:实际镀膜阶段,设置与训练阶段相同批次基材;S3:通过在粗调阶段设定的工艺参数进行镀膜;S4:在设定微调阶段工艺参数中进行镀膜;S5:实时观测晶体所镀厚度。本发明通过时间的控制,结合两次工艺参数的设定精准控制基材薄膜厚度,实现产品质量的可控性,提升产品的优良率。