本发明提供一种有机盐的用途，将具有式(一)所示的结构的有机盐，用作有机半导体的n型掺杂剂，所述式(一)为：#imgabs0#其中，R1‑R12各自独立为H、羟基、羧基、取代的或未取代的烷基、环烷基、烷氧基、烯基、酮烯基、炔基、芳基、卤代烷基、卤代酮烷基、卤代烯基；R13‑R16可为F，Cl，Br或I。本发明所提供的有机盐用作n型掺杂剂可以通过溶液处理，直接将掺杂剂加入到有机半导体中，或者通过正交溶液旋涂进行掺杂，并且通过不同的共混比例，从而提升半导体的电导率。而且掺杂半导体的薄膜在高温持续加热24h后，电导率几乎不变，具有良好的热稳定性，且掺杂工艺简单、便于控制，从而更加在其他有机半导体器件中得到广泛的应用和推广。