公开(公告)号：CN117939988A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410069860.4

申请日：2024-01-17

申请人： 湖南大学 ,  中南大学湘雅二医院 ,  湖南大学深圳研究院

发明人： 胡袁源 ,  李蓉 ,  魏欢

IPC分类号： H10K85/60 ,  H10K71/30 ,  H10K10/46

摘要： 本发明提供一种有机盐的用途，将具有式(一)所示的结构的有机盐，用作有机半导体的n型掺杂剂，所述式(一)为：#imgabs0#其中，R1‑R12各自独立为H、羟基、羧基、取代的或未取代的烷基、环烷基、烷氧基、烯基、酮烯基、炔基、芳基、卤代烷基、卤代酮烷基、卤代烯基；R13‑R16可为F，Cl，Br或I。本发明所提供的有机盐用作n型掺杂剂可以通过溶液处理，直接将掺杂剂加入到有机半导体中，或者通过正交溶液旋涂进行掺杂，并且通过不同的共混比例，从而提升半导体的电导率。而且掺杂半导体的薄膜在高温持续加热24h后，电导率几乎不变，具有良好的热稳定性，且掺杂工艺简单、便于控制，从而更加在其他有机半导体器件中得到广泛的应用和推广。

公开(公告)号：CN118524763A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410649461.5

申请日：2024-05-23

申请人： 湖南大学

发明人： 胡袁源 ,  魏欢

IPC分类号： H10K85/60 ,  H10K85/20 ,  H10K99/00 ,  H10K71/30

摘要： 一种亲核性材料的用途，将亲核性材料用作有机半导体的n型掺杂剂，本发明所提供的亲核性材料用于n型掺杂剂可通过溶液处理，直接将掺杂剂加入到有机半导体中或者按照一定的浓度稀释到有机溶剂中，并涂在有机半导体上，实现对半导体的n掺杂，进而提升半导体的电导率，掺杂后PC61BM的电导率最大可达2.57S/cm，是目前报道的最大值之一；本发明所提供的亲核性材料用于n型掺杂剂价格低廉且易制备，掺杂方法简单，适合大面积操作，从而有利于应用和推广到其他半导体器件领域。