一种具有静电卡盘的远程等离子体处理装置可通过原子层沉积或化学气相沉积而在半导体衬底上沉积膜。远程等离子体处理装置可包括远程等离子体源，以及位于远程等离子体源下游的反应室。RF功率源可被配置成向远程等离子体源施加高RF功率，而加热元件可被配置成向静电卡盘施加高温。可使用松开例程将半导体衬底从静电卡盘松开，其中该松开例程交替进行极性的反转和夹持电压的降低。在一些实施方案中，可将氮气、氨气和氢气的混合物使用作为远程等离子体生成的源气体，以通过原子层沉积而保形沉积氮化硅膜。