本申请涉及半导体技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括提供衬底，生长缓冲层、N型DBR结构、N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层、P型DBR结构，刻蚀多个第二孔洞腐蚀P型DBR结构形成多个环形腔体，沉积第二介质绝缘材料层；沉积第一电极和第二电极，得到长波长垂直腔表面发射激光器。该制备方法采用选择性腐蚀以及介质绝缘材料薄膜沉积的方法来制备下DBR结构，能够有效保证激光器的光电性能，且满足实用性要求，同时还能够有效减少制备对数，提高散热能力，进而提高生产速率。