发明公开
CN118175838A 半导体存储器件
审中-公开
- 专利标题: 半导体存储器件
-
申请号: CN202311644019.5申请日: 2023-12-01
-
公开(公告)号: CN118175838A公开(公告)日: 2024-06-11
- 发明人: 郑文泳 , 卢亨俊 , 李相昊 , 洪润基
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 弋桂芬
- 优先权: 10-2022-0171899 20221209 KR
- 主分类号: H10B12/00
- IPC分类号: H10B12/00 ; H10B51/30 ; H10B51/50
摘要:
一种半导体存储器件包括在衬底上并在平行于衬底的底表面的第一方向上延伸的位线、在位线上的第一有源图案、在平行于衬底的底表面并与第一方向交叉的第二方向上与第一有源图案交叉的第一字线、以及在第一有源图案上的第一导电图案。第一字线包括面对第一方向的第一侧表面。第一有源图案包括在第一字线和第一导电图案之间的第一部分、在第一字线和位线之间的第二部分、以及在第一字线的第一侧表面上延伸以将第一有源图案的第一部分连接到第二部分的第三部分。