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公开(公告)号：CN118829230A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202311636827.7
申请日：2023-12-01
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体存储器件包括：位线，其在第一方向上延伸；有源图案，其位于位线上，并且包括在第一方向上彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及连接第一垂直部分和第二垂直部分的水平部分；第一字线和第二字线，其位于第一垂直部分与第二垂直部分之间的水平部分上，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；栅极绝缘图案，其位于第一字线和第二字线与有源图案之间；以及电容器，其连接到第一垂直部分和第二垂直部分中的每一者，并且包括第一电极图案、位于第一电极图案上的第二电极图案和位于第一电极图案与第二电极图案之间的铁电图案，该第一电极图案连接到第一垂直部分和第二垂直部分中的一者。
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公开(公告)号：CN118540945A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410006431.2
申请日：2024-01-02
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体存储器件，包括：位线，在衬底上沿第一方向延伸；第一字线，在位线上沿第二方向延伸；第二字线，在位线上沿第二方向延伸，并且在第一方向上与第一字线间隔开；背栅电极，在第一字线和第二字线之间，并且沿第二方向延伸；第一有源图案，在位线上并且在第一字线和背栅电极之间；以及第二有源图案，在位线上并且在第二字线和背栅电极之间。
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公开(公告)号：CN117641900A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311072951.5
申请日：2023-08-24
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 一种半导体装置包括：衬底；在第一方向上在衬底上延伸的位线；位线上的第一有源图案和第二有源图案；背栅电极，其在第一有源图案和第二有源图案之间并且在垂直于第一方向的第二方向上与位线交叉地延伸；第一字线，其在第一有源图案的一侧在第二方向上延伸；第二字线，其在第二有源图案的另一侧在第二方向上延伸；以及接触图案，其连接至第一有源图案和第二有源图案中的每一个，其中，接触图案顺序地包括外延生长层、掺杂的多晶硅层和硅化物层。
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公开(公告)号：CN117412588A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310662125.X
申请日：2023-06-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 一种半导体器件包括：垂直图案，包括第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和位于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的垂直沟道区，所述第二源极/漏极区的高度高于所述第一源极/漏极区的高度；前栅极结构，面向所述垂直图案的第一侧表面；以及背栅极结构，面向所述垂直图案的与所述第一侧表面相反的第二侧表面。所述前栅极结构包括：栅电极，位于所述垂直图案的所述第一侧表面上；以及栅极电介质层，包括设置在所述垂直图案与所述栅电极之间的部分。所述背栅极结构包括：背栅电极，位于所述垂直图案的所述第二侧表面上；以及电介质结构，包括设置在所述垂直图案与所述背栅电极之间的部分。所述电介质结构包括气隙。
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公开(公告)号：CN118175838A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311644019.5
申请日：2023-12-01
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体存储器件包括在衬底上并在平行于衬底的底表面的第一方向上延伸的位线、在位线上的第一有源图案、在平行于衬底的底表面并与第一方向交叉的第二方向上与第一有源图案交叉的第一字线、以及在第一有源图案上的第一导电图案。第一字线包括面对第一方向的第一侧表面。第一有源图案包括在第一字线和第一导电图案之间的第一部分、在第一字线和位线之间的第二部分、以及在第一字线的第一侧表面上延伸以将第一有源图案的第一部分连接到第二部分的第三部分。
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公开(公告)号：CN117915655A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311339563.9
申请日：2023-10-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 一种半导体存储器件包括：基板；在基板上的位线；字线，提供在位线上并且在平行于基板的顶表面的第一方向上间隔开；背栅电极，提供在字线当中的一对相邻的字线之间；有源图案，提供在背栅电极和所述一对相邻的字线之间；分别提供在有源图案上的接触图案；第一背栅绝缘图案，提供在位线和背栅电极之间；以及提供在背栅电极上的第二背栅绝缘图案和第三背栅绝缘图案，其中第二背栅绝缘图案包括具有第一介电常数的材料并且第三背栅绝缘图案包括具有大于第一介电常数的第二介电常数的材料。
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公开(公告)号：CN111725314B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910987953.4
申请日：2019-10-17
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L27/088
摘要： 提供了具有多方向沟道和拥有增加的有效宽度的栅极的多方向沟道晶体管、以及包括该多方向沟道晶体管的半导体器件，其中该多方向沟道晶体管包括：至少一个鳍，在衬底上的有源区上，并且与在第一方向上延伸的凹陷相邻设置；栅线，在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且覆盖所述至少一个鳍和凹陷的至少一部分；源/漏区，在栅线两侧处的有源区上；以及沟道区，在源/漏区之间在栅线下方的有源区中，其中第一方向与第二方向斜交，并且栅线下方的电介质膜在所述至少一个鳍和凹陷两者上具有基本相同的厚度。
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公开(公告)号：CN116997180A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310467637.0
申请日：2023-04-27
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 一种半导体装置可包括：位线，其在第一方向上延伸；半导体图案，其位于位线上，半导体图案包括在第一方向上彼此相对的第一竖直部分和第二竖直部分以及连接第一竖直部分和第二竖直部分的水平部分；第一字线和第二字线，其位于水平部分上，分别与第一竖直部分和第二竖直部分相邻；以及栅极绝缘图案，其位于第一竖直部分和第一字线之间以及第二竖直部分和第二字线之间。水平部分的底表面可位于低于或等于位线的最上表面的高度处。
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公开(公告)号：CN116896877A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310315781.2
申请日：2023-03-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体器件包括：基板；在基板上的第一栅极结构和第二栅极结构；单个背栅极结构，在第一栅极结构和第二栅极结构之间；第一结构，包括在垂直方向上延伸的第一垂直沟道区，第一垂直沟道区的至少一部分在第一栅极结构和单个背栅极结构之间；以及第二结构，包括在垂直方向上延伸的第二垂直沟道区。第二结构与第一结构间隔开，第二垂直沟道区的至少一部分在第二栅极结构和单个背栅极结构之间。
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