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公开(公告)号：CN118829207A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410234973.5
申请日：2024-03-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 一种半导体装置包括：第一位线，其在第一方向上延伸；第一半导体图案，其在第二方向上延伸并且包括彼此相对的第一端和第二端，第一半导体图案的第一端与第一位线接触；第一字线，其在第一半导体图案上并且在第三方向上延伸；选择线，其邻近于第一半导体图案的第二端并且平行于第三方向；第二半导体图案，其介于选择线和第一半导体图案之间并且具有彼此相对的第一端和第二端；第二位线，其在第一方向上延伸并且与第二半导体图案的第一端接触；以及源极线，其在第一方向上延伸并且与第二半导体图案的第二端接触。
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公开(公告)号：CN118175838A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311644019.5
申请日：2023-12-01
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体存储器件包括在衬底上并在平行于衬底的底表面的第一方向上延伸的位线、在位线上的第一有源图案、在平行于衬底的底表面并与第一方向交叉的第二方向上与第一有源图案交叉的第一字线、以及在第一有源图案上的第一导电图案。第一字线包括面对第一方向的第一侧表面。第一有源图案包括在第一字线和第一导电图案之间的第一部分、在第一字线和位线之间的第二部分、以及在第一字线的第一侧表面上延伸以将第一有源图案的第一部分连接到第二部分的第三部分。
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公开(公告)号：CN114156268A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110571210.6
申请日：2021-05-25
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/423 , H01L21/027 , H01L21/266
摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与栅极结构的第二侧壁相邻的上部处。栅极结构的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度。
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公开(公告)号：CN118742025A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311503561.9
申请日：2023-11-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 一种半导体存储器装置，包括位线、在位线上彼此间隔开的第一和第二字线、在第一字线和第二字线之间的背栅电极、在第一字线和背栅电极之间的第一有源图案、在第二字线和背栅电极之间的第二有源图案、分别连接到第一有源图案和第二有源图案的接触图案、以及在第一有源图案和第一字线之间以及在第二有源图案和第二字线之间的第一栅极绝缘图案。第一栅极绝缘图案的顶表面位于与第一字线和第二字线的顶表面基本相同的高度处。第一栅极绝缘图案包括高k介电材料。
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公开(公告)号：CN118540945A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410006431.2
申请日：2024-01-02
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体存储器件，包括：位线，在衬底上沿第一方向延伸；第一字线，在位线上沿第二方向延伸；第二字线，在位线上沿第二方向延伸，并且在第一方向上与第一字线间隔开；背栅电极，在第一字线和第二字线之间，并且沿第二方向延伸；第一有源图案，在位线上并且在第一字线和背栅电极之间；以及第二有源图案，在位线上并且在第二字线和背栅电极之间。
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公开(公告)号：CN116454047A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211035563.5
申请日：2022-08-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/64
摘要： 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括分别具有第一有源图案和第二有源图案的单元区域和芯区域以及位于单元区域与芯区域之间的边界区域，第一有源图案和第二有源图案具有至少部分地限定第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽的相应的相对的侧壁表面；器件隔离层，位于边界区域上，以填充沟槽；线结构，位于第一有源图案上并且从单元区域延伸到边界区域；以及盖图案，覆盖线结构的位于边界区域上的端部。器件隔离层包括至少部分地限定与线结构的端部相邻的凹进区域的一个或更多个内表面，并且盖图案沿着线结构的端部延伸到凹进区域中。器件隔离层的顶表面位于线结构与盖图案的底表面之间。
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公开(公告)号：CN115643755A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210812817.3
申请日：2022-07-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和核心区；边界元件分隔膜，设置在衬底内部并将单元区和核心区分开；以及位线，设置在单元区和边界元件分隔膜上并沿第一方向延伸，其中边界元件分隔膜包括第一区域和第二区域，以边界元件分隔膜的下侧为基准，边界元件分隔膜的第一区域的上侧的高度与边界元件分隔膜的第二区域的上侧的高度不同，位线设置在边界元件分隔膜的第一区域和第二区域上方。
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