本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅接地结MOS器件及其制备方法、芯片，由P型屏蔽层与电荷存储层组成凹形结构，并在凹形结构内形成栅极介质层，通过在栅极介质层内设置与源极层接触的L形结构的分裂栅，并在分裂栅的水平部上设置互不接触的栅极，使得L形结构的分裂栅在器件正常工作时会在电荷存储层一侧感应出空穴，拓宽栅极沟槽底部的耗尽区，使此处电场降低。在P型屏蔽层与N型漂移层之间形成与电荷存储层接触的P型接地结区，同时L型分裂栅极实现了栅极源极解耦，提升了器件的高频性能和短路能力。