一种纳米网格石墨烯可饱和吸收体，所述纳米网格石墨烯可饱和吸收体依次包括砷化镓衬底层、布拉格反射层、量子阱吸收层、SiO2纳米柱层、石墨烯纳米网格层；所述SiO2纳米柱层的厚度为100‑300nm；石墨烯纳米网格层使用单层石墨烯；所述石墨烯纳米网格层和SiO2纳米柱层为相同的点阵结构和反点阵结构。所述纳米网格石墨烯可饱和吸收体可以控制石墨烯带隙，氧化硅纳米柱可以限制载流子逃逸，形成局域等离子增强效应，协同作用增强可饱和吸收效果。所述制备方法可重复性好，且在工艺流程中不需要电子束曝光等高精度纳米级光刻，成本低，效率高。