-
公开(公告)号：CN118762976A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410778126.5
申请日：2024-06-17
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 一种纳米锥场发射阴极的制备方法，包括以下步骤：(1)对硅片基底进行清洗，干燥后对硅基底上表层进行金属离子注入；(2)在步骤1基底上沉积SiO2作为掩膜层；(3)步骤2基底表面自组装聚苯乙烯微球；(4)第一次等离子刻蚀，将SiO2层刻蚀出纳米柱掩膜结构；(5)使用溶剂超声清洗样片，然后使用等离子去胶机进行刻蚀清洗；(6)以SiO2纳米图案结构作为掩膜，对Si基底材料进行干法刻蚀，即第二次等离子刻蚀，最后进行超声清洗后，得到纳米锥场发射阴极。该方法提高了尖部的导电性能，更有利于电子发射，纳米材料更加稳定，在多次的发射后不容易脱落。
-
公开(公告)号：CN116812859A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310741391.1
申请日：2023-06-21
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种多级的微纳米台阶结构的加工方法，包括：在所需加工的晶圆表面涂覆光刻胶；采用掩膜版对光刻胶进行光刻处理；掩膜版包括多个圆孔阵列，圆孔阵列的圆孔直径和周期依据微纳米台阶深度设计，所述圆孔直径越大台阶深度越深；对晶圆进行一次刻蚀，使晶圆上形成多个圆孔阵列；去除晶圆上光刻胶；对晶圆进行二次刻蚀，去除晶圆上圆孔阵列的圆孔侧壁，形成多级微纳米台阶结构；本发明通过在设计具有不同直径和周期圆孔的圆孔阵列的掩膜版，在晶圆上仅经过一次刻蚀形成不同深度圆孔阵列，再经二次刻蚀去除圆孔整列的圆孔侧壁形成不同高度的微纳米台阶，可适用于多层级和大高度差高深度的台阶制造。
-
公开(公告)号：CN116316032A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310579364.9
申请日：2023-05-23
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC分类号： H01S3/1118 , G02F1/015
摘要： 本发明提供了一种掺杂型的半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器，其中，掺杂型的半导体可饱和吸收镜，包括：层叠设置的分布式布拉格反射镜以及至少一个周期的可饱和吸收体，其中，一个周期的可饱和吸收体包括：层叠设置的缓冲层、可饱和吸收层以及第一盖层，缓冲层位于分布式布拉格反射镜与可饱和吸收层之间；在半导体可饱和吸收镜包括多个周期的可饱和吸收体的情况下，其还包括：间隔层，任一相邻的两个周期的可饱和吸收体之间均设置有间隔层；缓冲层或第一盖层或间隔层内存在P型或N型掺杂区域A。应用本发明的技术方案能够有效地解决现有技术中半导体可饱和吸收镜的光学特性差以及基于元器件构成的超快激光器的性能和稳定性差的问题。
-
公开(公告)号：CN108242452B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201611227642.0
申请日：2016-12-27
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC分类号： H01L27/15
摘要： 本发明提供了一种光子集成器件，包括衬底；衬底上设置有二维材料单元以及位于二维材料单元两侧的半导体发光单元；二维材料单元中设置有发光波段长于半导体发光单元的发光波段的发光二维材料，半导体发光单元向二维材料单元提供泵浦光源，以泵浦发光二维材料发光。本发明的光子集成器件通过改变发光二维材料的层数或种类即获得不同发光波段；同时，根据本发明的光子集成器件采用光泵浦发光的方式，无需形成p‑n结，与现有技术中以发光二维材料为基础制作p‑n结的电泵浦发光方式相比，简化了工艺难度。本发明还提供了上述光子集成器件的制作方法。该制作方法易于实现工艺标准化，与现有半导体器件制作工艺兼容，降低了制作成本，有利于批量生产。
-
公开(公告)号：CN116316033A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310586496.4
申请日：2023-05-24
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC分类号： H01S3/1118 , G02B5/00
摘要： 本发明涉及光学器件技术领域，具体提供了一种半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器，其中，半导体可饱和吸收镜包括：层叠设置的分布式布拉格反射镜、可饱和吸收体结构、盖层以及金属光栅。应用本发明的技术方案能够有效地解决现有技术中半导体可饱和吸收镜的调制深度差、光吸收能力低的问题。
-
公开(公告)号：CN118884588A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411097123.1
申请日：2024-08-12
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种复合亚波长光栅结构、可饱和吸收器件及其制备方法。该方法包括：在基底上通过电子束蒸发法制备金属反射镜层；通过磁控溅射技术在金属反射镜层上制备初始GSBT薄膜层；基于激光直写扫描退火的方法在初始GSBT薄膜层上刻蚀出预设光栅图案，并使初始GSBT薄膜层从非晶态转换为晶态；通过预设酸性溶液对预设光栅图案之外的初始GSBT薄膜层区域进行选择性刻蚀，以生成目标GSBT薄膜层；通过湿法转移技术将石墨烯薄膜转移覆盖在目标GSBT薄膜层上，以基于目标GSBT薄膜层和石墨烯薄膜生成复合亚波长光栅结构的光栅层。基于上述方法，不仅提高了光栅的性能，还克服了能耗高、热稳定性差和制造复杂性高等问题。
-
公开(公告)号：CN118213845A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410171216.8
申请日：2024-02-06
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC分类号： H01S3/1118 , C23C14/30 , C23C14/00 , C23C14/14 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/50 , C01B32/194 , C01B33/18
摘要： 一种纳米网格石墨烯可饱和吸收体，所述纳米网格石墨烯可饱和吸收体依次包括砷化镓衬底层、布拉格反射层、量子阱吸收层、SiO2纳米柱层、石墨烯纳米网格层；所述SiO2纳米柱层的厚度为100‑300nm；石墨烯纳米网格层使用单层石墨烯；所述石墨烯纳米网格层和SiO2纳米柱层为相同的点阵结构和反点阵结构。所述纳米网格石墨烯可饱和吸收体可以控制石墨烯带隙，氧化硅纳米柱可以限制载流子逃逸，形成局域等离子增强效应，协同作用增强可饱和吸收效果。所述制备方法可重复性好，且在工艺流程中不需要电子束曝光等高精度纳米级光刻，成本低，效率高。
-
公开(公告)号：CN116914562A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310741387.5
申请日：2023-06-21
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种制备倾斜端面超辐射发光管的方法，包括如下步骤：s1、制备外延片，s2、制备波导结构，s3、制备倾斜端面，s4、制备电极窗口，s5、制备P面电极，s6、减薄和抛光，s7、制备N面电极，s8、退火，获得倾斜端面超辐射发光管。该制备倾斜端面超辐射发光管的方法采用标准半导体工艺，并在流程中引入法拉第笼等电位面诱导等离子体倾斜方向刻蚀制备倾斜端面，操作简单、生产效率高，可以批量制备倾斜端面超辐射发光管。
-
公开(公告)号：CN116316033B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310586496.4
申请日：2023-05-24
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC分类号： H01S3/1118 , G02B5/00
摘要： 本发明涉及光学器件技术领域，具体提供了一种半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器，其中，半导体可饱和吸收镜包括：层叠设置的分布式布拉格反射镜、可饱和吸收体结构、盖层以及金属光栅。应用本发明的技术方案能够有效地解决现有技术中半导体可饱和吸收镜的调制深度差、光吸收能力低的问题。
-
公开(公告)号：CN118919630A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410996110.1
申请日：2024-07-24
申请人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种单片集成波长可调谐量子点芯片及其制备方法。该芯片包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、布拉格反射层、量子点层、盖层和波长调节层；其中，所述波长调节层包括二氧化硅薄膜层和掺锡氧化铟薄膜层，所述二氧化硅薄膜层和所述掺锡氧化铟薄膜层的宽度均小于所述盖层宽度的二分之一，所述二氧化硅薄膜层和所述掺锡氧化铟薄膜层分别设置于所述盖层的两端。基于上述结构，能够拓宽量子点芯片的波长范围，且能够实现量子点发光波长的精准调节，同时芯片结构集成度较高，降低了制备工艺难度和成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
24 条记录 (耗时 0.036 秒)
