发明公开
CN118280829A 一种刻蚀方法及刻蚀系统
审中-实审
- 专利标题： 一种刻蚀方法及刻蚀系统
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申请号： CN202211736974.7申请日： 2022-12-30
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公开(公告)号： CN118280829A公开(公告)日： 2024-07-02
- 发明人: 朱开放 , 任华 , 郭春祥 , 彭泰彦 , 杨宇新 , 许开东
- 申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
- 专利权人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
- 当前专利权人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 高雪
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/308 ; H01L21/67 ; H01L21/04
摘要：
本申请提供一种刻蚀方法及刻蚀系统，提供待刻蚀结构，待刻蚀结构上覆盖图案化的掩膜层，以掩膜层为掩蔽，利用第一刻蚀气体对待刻蚀结构进行等离子体刻蚀，形成第一沟槽，接着，以掩膜层为掩蔽，利用第二刻蚀气体对第一沟槽进行离子束刻蚀，以对第一沟槽进行底面修饰得到第二沟槽。这样，在等离子体刻蚀之后利用第二刻蚀气体进行离子束刻蚀，可以对第一沟槽进行修饰，以形成圆滑的沟槽底部，从而避免微沟槽的形成，解决沟槽类器件加工制造中带来的结构缺陷，提高器件性能。
IPC分类:
