一种存储器单元包括在第一方向上纵向延伸的第一有源区和第二有源区，以及沿第一方向从第一到第四按顺序排列的第一、第二、第三和第四栅极结构。第一、第二、第三和第四栅极结构中的每个在垂直于第一方向的第二方向上纵向延伸。第一、第二、第三和第四栅极结构被配置为在形成存储器单元的写入端口的第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管时接合第一和第二有源区。存储器单元还包括第五栅极结构，第五栅极结构被配置为在形成存储器单元的读取端口的第七晶体管时接合第二有源区。本申请的实施例还提供了一种半导体器件及存储器阵列。