本发明提供一种电容隔离器及其制备方法，属于半导体制造技术领域。该电容隔离器制备方法包括：分别制备隔离电容芯片、发射机芯片和接收机芯片，发射机芯片和/或接收机芯片设置有硅通孔；将发射机芯片和接收机芯片分别与隔离电容芯片进行键合，得到电容隔离器。使电容器的耐压性能不再受制于集成电路后端金属互联层的厚度，提高了电容器耐压，可以避免在金属间绝缘层的沉积过程中对硅衬底产生较大的机械应力，降低了衬底弯曲或碎裂和器件失效的风险，从而提高了器件的可靠性。通过将传统的二维集成电路转变为三维集成电路，提高芯片面积率用率，提供了更优的电路连接，降低应力引发器件失效的风险，提高器件可靠性。