发明公开
CN118366958A 半导体装置
审中-公开
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN202410068919.8申请日： 2024-01-17
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公开(公告)号： CN118366958A公开(公告)日： 2024-07-19
- 发明人: 崔佳银 , 崔祐荣 , 尹灿植
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 赵南; 王慧敏
- 优先权： 10-2023-0006510 20230117 KR
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L23/528 ; H10B12/00 ; H01L21/76 ; H01L21/768
摘要：
一种半导体装置包括：衬底上的有源图案；有源图案的上部中的栅极结构；有源图案上的位线结构；位线结构的侧壁上的间隔件结构，间隔件结构包括绝缘材料；以及有源图案的与位线结构相邻的部分上的下接触插塞，下接触插塞接触间隔件结构，其中，间隔件结构包括至少具有两个曲面和设置在这两个曲面之间并且接触这两个曲面的顶点的层。
IPC分类:
