公开(公告)号：CN117615571A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202310884458.7

申请日：2023-07-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔祐荣 ,  金熙中 ,  成祉勋 ,  崔佳银 ,  宣潒珪

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 提供一种半导体存储器件，包括：有源区，在单元隔离层中延伸，其中，有源区包括第一区域和第二区域；位线，与有源区相交；在衬底与位线之间的位线接触部，其中，位线接触部电连接到第一区域；位线间隔物，在位线和位线接触部的侧表面上；在位线间隔物的横向侧上的节点焊盘，其中，节点焊盘电连接到第二区域；存储接触部，在节点焊盘上和位线间隔物的侧表面上，其中，存储接触部包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，第二宽度不同于第一宽度。

公开(公告)号：CN118366958A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410068919.8

申请日：2024-01-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔佳银 ,  崔祐荣 ,  尹灿植

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H10B12/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768

摘要： 一种半导体装置包括：衬底上的有源图案；有源图案的上部中的栅极结构；有源图案上的位线结构；位线结构的侧壁上的间隔件结构，间隔件结构包括绝缘材料；以及有源图案的与位线结构相邻的部分上的下接触插塞，下接触插塞接触间隔件结构，其中，间隔件结构包括至少具有两个曲面和设置在这两个曲面之间并且接触这两个曲面的顶点的层。