本发明公开了一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法，属于埋阻铜箔技术领域，以解决现有技术无法制备出低电阻温度系数和阻值波动小、电阻率大于9×10‑4的埋阻铜箔产品的问题。方法包括制备生箔层、制备表面处理层、反应溅射电阻层、磁控溅射防氧化层四个步骤。采用本发明方法制备出的埋阻铜箔产品具有以下优点：电阻层的电阻率高，在相同电阻层厚度下，可得到较高的方阻值；产品的电阻温度系数TCR低，具有良好的热稳定性；电阻层均匀致密，可以将方阻值的公差控制在3％内。相比于市面现有产品具有更高的优势，具有更好的应用前景和商业价值。