公开(公告)号：CN118390121A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410579135.1

申请日：2024-05-11

申请人： 九江德福科技股份有限公司

发明人： 吕吉庆 ,  吴松 ,  涂彬斌 ,  汪聪 ,  张杰 ,  杨红光

IPC分类号： C25D1/04 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/56

摘要： 本发明公开了一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法，属于埋阻铜箔技术领域，以解决现有技术无法制备出低电阻温度系数和阻值波动小、电阻率大于9×10‑4的埋阻铜箔产品的问题。方法包括制备生箔层、制备表面处理层、反应溅射电阻层、磁控溅射防氧化层四个步骤。采用本发明方法制备出的埋阻铜箔产品具有以下优点：电阻层的电阻率高，在相同电阻层厚度下，可得到较高的方阻值；产品的电阻温度系数TCR低，具有良好的热稳定性；电阻层均匀致密，可以将方阻值的公差控制在3％内。相比于市面现有产品具有更高的优势，具有更好的应用前景和商业价值。