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    一种附载体超薄铜箔及降低其针孔的制造方法
    2.
    发明公开
    一种附载体超薄铜箔及降低其针孔的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117888154A

    公开(公告)日：2024-04-16

    申请号：CN202410016313.X

    申请日：2024-01-05

    申请人： 九江德福科技股份有限公司 ,  九江德富新能源有限公司

    发明人： 吴松 ,  吕吉庆 ,  杨红光 ,  汪聪 ,  王潘 ,  吴帮正

    IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D5/00 ,  C25D5/34

    摘要： 本发明公开了一种降低附载体超薄铜箔针孔的方法。附载体超薄铜箔由载体层，复合功能层，超薄铜层所组成。复合功能层结构为打底层‑阻挡层‑剥离层。本发明采用等离子体轰击辅助成膜技术。增强复合功能层内各膜层间结合力，同时增强复合功能层与载体层间结合力，减少后续电镀加厚过程中膜层脱落，达到减少针孔的目的。超薄铜层结构为种子铜层‑电化学沉积铜层‑表面处理层。本发明选用多种添加剂组合，保障铜层稳定生长，从而减少超薄铜箔针孔。该添加剂系统由表面活性剂聚乙二醇(分子量8000)，整平剂疏基咪唑丙磺钠(MESS)，光亮剂丙烷磺酸钠(HP)所组成。

    一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法
    3.
    发明公开
    一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118390121A

    公开(公告)日：2024-07-26

    申请号：CN202410579135.1

    申请日：2024-05-11

    申请人： 九江德福科技股份有限公司

    发明人： 吕吉庆 ,  吴松 ,  涂彬斌 ,  汪聪 ,  张杰 ,  杨红光

    IPC分类号： C25D1/04 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/56

    摘要： 本发明公开了一种低电阻温度系数的埋阻铜箔的制备方法，属于埋阻铜箔技术领域，以解决现有技术无法制备出低电阻温度系数和阻值波动小、电阻率大于9×10‑4的埋阻铜箔产品的问题。方法包括制备生箔层、制备表面处理层、反应溅射电阻层、磁控溅射防氧化层四个步骤。采用本发明方法制备出的埋阻铜箔产品具有以下优点：电阻层的电阻率高，在相同电阻层厚度下，可得到较高的方阻值；产品的电阻温度系数TCR低，具有良好的热稳定性；电阻层均匀致密，可以将方阻值的公差控制在3％内。相比于市面现有产品具有更高的优势，具有更好的应用前景和商业价值。

    附载体极薄铜箔及其制备方法
    5.
    发明公开
    附载体极薄铜箔及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116641018A

    公开(公告)日：2023-08-25

    申请号：CN202310552455.3

    申请日：2023-05-16

    申请人： 九江德福科技股份有限公司

    发明人： 吕吉庆 ,  吴松 ,  齐朋伟 ,  杨红光 ,  金荣涛

    IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/34 ,  C25D3/38 ,  C25D7/06 ,  C25D1/04 ,  C23C28/02

    摘要： 本发明公开了一种附载体极薄铜箔及其制备方法，所述方法包括：S1、利用离子源在氩气下对载体箔材的表面进行离子轰击，得到载体层；载体层的表面洁净均一；S2、利用溅射镀膜技术，在载体层的表面形成致密的阻挡/剥离层，阻挡/剥离层具有阻挡层功能和剥离层功能；S3、利用真空镀膜技术，在阻挡/剥离层上沉积铜金属，得到种子铜层；S4、利用电镀技术在种子铜层表面电镀加厚层，得到预处理铜箔；加厚层的厚度为目标厚度；S5、对预处理铜箔进行表面处理形成表面处理层，得到附载体极薄铜箔。本发明的阻挡/剥离层具有阻挡层功能和剥离层功能，实现了载体层和极薄铜层的分离力在一定范围内稳定可控。