发明公开
- 专利标题： 一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用
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申请号： CN202410489372.9申请日： 2024-04-23
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公开(公告)号： CN118390158A公开(公告)日： 2024-07-26
- 发明人: 张跃 , 姜鹤 , 张铮 , 张先坤 , 陈匡磊 , 何晓宇 , 刘一禾 , 李瑞山 , 耿宇 , 陈超
- 申请人： 北京科技大学
- 申请人地址： 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人： 北京科技大学
- 当前专利权人： 北京科技大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构： 北京盛询知识产权代理有限公司
- 代理商 彭贵琴
- 主分类号： C30B25/00
- IPC分类号： C30B25/00 ; C30B29/46 ; C30B1/10
摘要：
本发明属于二维材料制备技术领域，涉及一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用。以钼源、硫粉为原料，惰性气体为载气，通过一个中间态蒸发过程将原料输运至熔融态的玻璃表面沉积为固态硫化钼，并在随后的刻蚀‑铺展‑硫化‑析出过程中获得常压、无氢化生长的超高质量超大面积二硫化钼单晶晶畴，制备得到的二维二硫化钼材料的单晶晶畴尺寸可以达到1.5cm，进而生长成尺寸为2英寸的晶圆级二维二硫化钼材料，厚度可在1‑2层。
