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公开(公告)号：CN118390158B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410489372.9
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备技术领域，涉及一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用。以钼源、硫粉为原料，惰性气体为载气，通过一个中间态蒸发过程将原料输运至熔融态的玻璃表面沉积为固态硫化钼，并在随后的刻蚀‑铺展‑硫化‑析出过程中获得常压、无氢化生长的超高质量超大面积二硫化钼单晶晶畴，制备得到的二维二硫化钼材料的单晶晶畴尺寸可以达到1.5cm，进而生长成尺寸为2英寸的晶圆级二维二硫化钼材料，厚度可在1‑2层。
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公开(公告)号：CN116230761B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310174874.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。本发明垂直双栅极电压调控的二维可重构晶体管应用于未来集成电路时，同等算力条件下，可以节省大量的晶体管，减少集成电路占用面积，降低集成电路成本和整体的能耗，满足未来人工智能、物联网等应用的发展需求。
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公开(公告)号：CN116705889B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310774784.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器及其制备方法，包括：源电极、半导体基底、二维层状材料、一维半导体纳米柱阵列、石墨烯层、绝缘层和漏电极；源电极设置在所述半导体基底上表面的一侧，一维半导体纳米柱阵列设置于半导体基底上表面图案化区域，绝缘层设置在半导体基底上表面远离源电极的另一侧以及一维半导体纳米柱阵列的间隙位置，二维层状材料置于一维半导体纳米柱阵列和绝缘层上，石墨烯层置于二维层状材料上，漏电极设置在所述石墨烯层上方。本发明具有一定的普适性，不仅局限于使用的几种材料，凡是可以构筑出类似结构的材料均可由此方法进行研究，拓宽了材料应变工程的研究范围。
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公开(公告)号：CN114429988B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210107442.0
申请日：2022-01-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构，所述半导体模块为二维半导体材料，所述金属电极模块为表面无悬挂键的二维半金属材料，所述二维半导体材料与二维半金属材料之间界面为表面粗糙度在0.01‑1nm且表面无悬挂键的范德华界面，所述二维半导体材料与二维半金属材料的层间距小于1nm；本发明的二维半金属材料具有合适的高功函数，以匹配半导体材料的能带边缘，并最终确保接近零的肖特基势垒，其场效应晶体管在室温下显示出创纪录高迁移率，减少肖特基势垒的全二维接触，并展示了其减少肖特基势垒的优化机制，有助于基于二维半导体的肖特基结设计和优化。
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公开(公告)号：CN114388620B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210042071.2
申请日：2022-01-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种基于α‑硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用，涉及半导体材料与器件技术领域。该存储器包括金属电极、少层六方氮化硼或氧化铪、α‑硒化铟纳米片、少层石墨烯及目标衬底；少层石墨烯完全覆盖目标衬底表面，α‑硒化铟纳米片部分覆盖少层石墨烯表面，少层六方氮化硼或氧化铪完全覆盖α‑硒化铟纳米片表面；金属电极为两个，分别沉积于少层六方氮化硼或氧化铪表面和少层石墨烯表面。本发明发挥二维铁电材料优势，通过简单、普适性强的方法构筑得到稳定性良好，能实现高阻值转变的存储器，对非易失性存储器领域具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106299123B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610887107.1
申请日：2016-10-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于有机电极领域，具体涉及一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法。在基底上旋涂电子束光刻胶，烘干后用电子束曝光方法将基底上的电子束光刻胶层图案化，在带有图案化的电子束光刻胶层的基底上沉积PEDOT:PSS，一定温度下干燥后用有机溶剂浸泡除去电子束光刻胶，用大量去离子水冲洗后得在基底上图案化的有机电极PEDOT:PSS，实现图案化有机电极PEDOT:PSS。本发明提供的方法使有机电极PEDOT:PSS图案化的精度达到10nm，同时摆脱了光刻胶残留缺陷和反应离子刻蚀损伤问题，为有机电极的图案化道路探索了一条新思路，同时为有机电极的大规模应用奠定了广泛的基础。
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公开(公告)号：CN119615063A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411946833.7
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提出了一种实现稳定化学计量比的金属氧化物薄膜制备方法，属于纳米级薄膜制备技术领域。本发明以金属氧化物射频磁控溅射靶材为原料，通过射频磁控溅射的方式在预处理的生长衬底上制备金属氧化物薄膜，在射频磁控溅射过程中，所述生长衬底的转速为5‑300r/min，保护气为氩气，流量为10‑80sccm，射频磁控溅射的功率为20‑120W。本发明通过调控气体流量、腔体内部压强、射频磁控溅射功率等核心参数，使得制备的金属氧化物薄膜具有稳定的化学计量比，且薄膜具有高的平整度与均匀性。
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公开(公告)号：CN116005262B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310008003.9
申请日：2023-01-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法，涉及晶圆级过渡金属硫化物制备技术领域。方法包括以下步骤：将过渡族金属源与有机黏着剂溶于溶剂中，得到溶液；将所述溶液涂覆于基底表面后烘干，得到前驱体；将所述前驱体在含有VIA族元素反应源的气氛中进行退火处理，得到晶圆级过渡金属硫化物。本发明克服MOCVD生长晶圆级多层TMDCs材料的限制以及过渡金属源选择性的问题，提供了一个绿色、低成本、适用范围广、重复性高的层数可控的晶圆级二维TMDCs材料合成策略。相对于MOCVD方法，本发明有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法(OACVD)更适用于生长单层至多层不同厚度的TMDCs材料。
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公开(公告)号：CN116230761A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310174874.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。本发明垂直双栅极电压调控的二维可重构晶体管应用于未来集成电路时，同等算力条件下，可以节省大量的晶体管，减少集成电路占用面积，降低集成电路成本和整体的能耗，满足未来人工智能、物联网等应用的发展需求。
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公开(公告)号：CN113130637B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110394727.2
申请日：2021-04-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法，属于半导体材料技术领域，本发明基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管(BJTs)，包括不同厚度的二维p型碲纳米片、二维n型半导体材料、电极及目标衬底，利用水热法合成的不同厚度的碲纳米片以及二维n型半导体纳米片，通过改变集电极与发射极碲纳米片的厚度来调控载流子浓度差，改变基极二维n型半导体的厚度来调控载流子的隧穿势垒，借助于PPC辅助转移实现三层材料的垂直无损堆垛，设计p型半导体与高功函数金属接触，n型半导体与低功函数金属接触来减小金属与材料之间的肖特基势垒，进而实现BJTs性能的有效调控，实现良好的电流放大功能。
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