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公开(公告)号：CN113193071B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110465733.2
申请日：2021-04-28
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y15/00
摘要： 本发明涉及紫外光电探测器技术领域，具体涉及一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法；所述栅压可调的氧化锌紫外光电探测器包括设置在底层的绝缘硅衬底，设置在绝缘硅衬底上的二维氧化锌纳米片层以及设置在二维氧化锌纳米片层上的电极层；所述电极层为互不相交的两个金属电极，两个金属电极的间隔位置形成氧化锌沟道。进一步地，所述二维氧化锌纳米片层和每个金属电极之间还设置有二维材料层，所述二维材料具有金属性或半金属性。本发明通过利用离子层外延法合成了超薄氧化锌纳米片，设计了一种可通过外界电场调控光电探测器性能的超薄氧化锌紫外光电探测器。
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公开(公告)号：CN113401880A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110661178.0
申请日：2021-06-15
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法，属于纳米材料技术领域，所述方法包括以下步骤：将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中，取出干燥，即得所述厚度减薄的碲纳米片；本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应，对碲纳米片进行减薄，可实现碲纳米片厚度的精确调控；采用本发明的方法制备得到薄层碲纳米片，可充分发挥p型碲纳米片的优势，满足不同器件对材料性能的要求，可利用电子束曝光及真空蒸发电极材料的方式构筑基于碲纳米片的电子及光电器件，与传统半导体加工工艺兼容性良好；本发明可实现碲纳米片厚度、载流子浓度及场效应开关比的多重调控，对发展性能稳定，满足多场景需求的二维p型半导体材料提供了支持。
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公开(公告)号：CN118390158A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410489372.9
申请日：2024-04-23
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明属于二维材料制备技术领域，涉及一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用。以钼源、硫粉为原料，惰性气体为载气，通过一个中间态蒸发过程将原料输运至熔融态的玻璃表面沉积为固态硫化钼，并在随后的刻蚀‑铺展‑硫化‑析出过程中获得常压、无氢化生长的超高质量超大面积二硫化钼单晶晶畴，制备得到的二维二硫化钼材料的单晶晶畴尺寸可以达到1.5cm，进而生长成尺寸为2英寸的晶圆级二维二硫化钼材料，厚度可在1‑2层。
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公开(公告)号：CN116005262A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310008003.9
申请日：2023-01-04
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法，涉及晶圆级过渡金属硫化物制备技术领域。方法包括以下步骤：将过渡族金属源与有机黏着剂溶于溶剂中，得到溶液；将所述溶液涂覆于基底表面后烘干，得到前驱体；将所述前驱体在含有VIA族元素反应源的气氛中进行退火处理，得到晶圆级过渡金属硫化物。本发明克服MOCVD生长晶圆级多层TMDCs材料的限制以及过渡金属源选择性的问题，提供了一个绿色、低成本、适用范围广、重复性高的层数可控的晶圆级二维TMDCs材料合成策略。相对于MOCVD方法，本发明有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法(OACVD)更适用于生长单层至多层不同厚度的TMDCs材料。
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公开(公告)号：CN113193071A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110465733.2
申请日：2021-04-28
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y15/00
摘要： 本发明涉及紫外光电探测器技术领域，具体涉及一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法；所述栅压可调的氧化锌紫外光电探测器包括设置在底层的绝缘硅衬底，设置在绝缘硅衬底上的二维氧化锌纳米片层以及设置在二维氧化锌纳米片层上的电极层；所述电极层为互不相交的两个金属电极，两个金属电极的间隔位置形成氧化锌沟道。进一步地，所述二维氧化锌纳米片层和每个金属电极之间还设置有二维材料层，所述二维材料具有金属性或半金属性。本发明通过利用离子层外延法合成了超薄氧化锌纳米片，设计了一种可通过外界电场调控光电探测器性能的超薄氧化锌紫外光电探测器。
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公开(公告)号：CN113130637A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110394727.2
申请日：2021-04-13
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法，属于半导体材料技术领域，本发明基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管(BJTs)，包括不同厚度的二维p型碲纳米片、二维n型半导体材料、电极及目标衬底，利用水热法合成的不同厚度的碲纳米片以及二维n型半导体纳米片，通过改变集电极与发射极碲纳米片的厚度来调控载流子浓度差，改变基极二维n型半导体的厚度来调控载流子的隧穿势垒，借助于PPC辅助转移实现三层材料的垂直无损堆垛，设计p型半导体与高功函数金属接触，n型半导体与低功函数金属接触来减小金属与材料之间的肖特基势垒，进而实现BJTs性能的有效调控，实现良好的电流放大功能。
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公开(公告)号：CN108118395A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711354238.4
申请日：2017-12-15
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积制备二硒化钨单晶薄膜的方法，该方法包括：以钨的氧化物粉末、卤化盐、硒粉为原料，惰性气体为载气，将原料蒸发成气态并输送到基片上沉积生长二硒化钨薄膜。通过控制原料配比、生长温度、生长时间、载气流量等手段控制薄膜厚度。利用本发明，可以在无氢环境下，在600-800摄氏度下生长50um以上，层数可控的二硒化钨薄膜。
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公开(公告)号：CN116005262B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310008003.9
申请日：2023-01-04
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法，涉及晶圆级过渡金属硫化物制备技术领域。方法包括以下步骤：将过渡族金属源与有机黏着剂溶于溶剂中，得到溶液；将所述溶液涂覆于基底表面后烘干，得到前驱体；将所述前驱体在含有VIA族元素反应源的气氛中进行退火处理，得到晶圆级过渡金属硫化物。本发明克服MOCVD生长晶圆级多层TMDCs材料的限制以及过渡金属源选择性的问题，提供了一个绿色、低成本、适用范围广、重复性高的层数可控的晶圆级二维TMDCs材料合成策略。相对于MOCVD方法，本发明有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法(OACVD)更适用于生长单层至多层不同厚度的TMDCs材料。
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公开(公告)号：CN113130637B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110394727.2
申请日：2021-04-13
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法，属于半导体材料技术领域，本发明基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管(BJTs)，包括不同厚度的二维p型碲纳米片、二维n型半导体材料、电极及目标衬底，利用水热法合成的不同厚度的碲纳米片以及二维n型半导体纳米片，通过改变集电极与发射极碲纳米片的厚度来调控载流子浓度差，改变基极二维n型半导体的厚度来调控载流子的隧穿势垒，借助于PPC辅助转移实现三层材料的垂直无损堆垛，设计p型半导体与高功函数金属接触，n型半导体与低功函数金属接触来减小金属与材料之间的肖特基势垒，进而实现BJTs性能的有效调控，实现良好的电流放大功能。
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公开(公告)号：CN113401880B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110661178.0
申请日：2021-06-15
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法，属于纳米材料技术领域，所述方法包括以下步骤：将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中，取出干燥，即得所述厚度减薄的碲纳米片；本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应，对碲纳米片进行减薄，可实现碲纳米片厚度的精确调控；采用本发明的方法制备得到薄层碲纳米片，可充分发挥p型碲纳米片的优势，满足不同器件对材料性能的要求，可利用电子束曝光及真空蒸发电极材料的方式构筑基于碲纳米片的电子及光电器件，与传统半导体加工工艺兼容性良好；本发明可实现碲纳米片厚度、载流子浓度及场效应开关比的多重调控，对发展性能稳定，满足多场景需求的二维p型半导体材料提供了支持。
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