发明公开
- 专利标题： 一种铅基异质结构的铁电薄膜电容器及制备方法
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申请号： CN202410662849.9申请日： 2024-05-27
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公开(公告)号： CN118522566A公开(公告)日： 2024-08-20
- 发明人: 谭划 , 张海波 , 刘金鹏 , 杨华斌 , 叶宝华
- 申请人： 华中科技大学 , 广东华中科技大学工业技术研究院
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 专利权人： 华中科技大学,广东华中科技大学工业技术研究院
- 当前专利权人： 华中科技大学,广东华中科技大学工业技术研究院
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 代理机构： 东莞卓为知识产权代理事务所
- 代理商 齐海迪
- 主分类号： H01G4/33
- IPC分类号： H01G4/33 ; H01G4/008 ; H01G4/018
摘要：
本发明公开一种铅基异质结构的铁电薄膜电容器及制备方法，铁电薄膜电容器从下往上依次由硅基底、下电极、中间铁电电介质和上电极组成，其中，硅基底采用的是Si(100)，下电极采用的是Pt电极，中间铁电电介质由Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜和Pb0.8La0.1Ca0.1Ti0.975O3底层上下组成，上电极采用的是Au电极。本发明可以实现有效储能密度为41J/cm3，储能效率50％，保持良好频率、温度稳定性。
