发明公开
- 专利标题： 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质
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申请号： CN202311778720.6申请日： 2023-12-22
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公开(公告)号： CN118553600A公开(公告)日： 2024-08-27
- 发明人: 矶边纪之 , 永富佳将
- 申请人： 株式会社国际电气
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社国际电气
- 当前专利权人： 株式会社国际电气
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 韩雪莲
- 优先权： 2023-027702 20230224 JP
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/67 ; C23C16/44 ; C23C16/52
摘要：
本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质，课题在于提供能够提高衬底上形成的膜的阶梯覆盖性的技术。包括：(a1)向衬底供给第1改性气体的工序；(a2)向前述衬底供给具有第1元素的第1处理气体的工序；(b1)向前述衬底供给第2改性气体的工序；和(b2)向前述衬底供给具有第2元素、且比同一条件下的前述第1处理气体更容易吸附于前述衬底的开口部侧的第2处理气体的工序，前述方法具有将(a1)和(a2)进行第1次数、将(b1)和(b2)进行第2次数，形成包含前述第1元素和前述第2元素的膜的工序，(b1)是在前述第2改性气体比同一条件下的前述第1改性气体更容易吸附于前述衬底的表面的条件下进行的。
IPC分类:
