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公开(公告)号：CN115708193A
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210609104.7
申请日：2022-05-31
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明提供一种基板处理装置，其能够将处理容器内的气体喷射器的管的长度方向上的气体的供给量均等化。基板处理装置具备：处理容器、配置在处理容器内且排列并保持多个基板的基板保持件、以及具有沿供多个基板排列的方向延伸的管且向处理容器内供给气体的气体喷射器，气体喷射器具有沿着管的长度方向设于供多个基板排列的区间且供给气体的第1喷射孔、以及在管的前端被设为以比管的流路截面积小的面积相对于长度方向倾斜地开口的多个第2喷射孔。
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公开(公告)号：CN118553600A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311778720.6
申请日：2023-12-22
申请人： 株式会社国际电气
摘要： 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质，课题在于提供能够提高衬底上形成的膜的阶梯覆盖性的技术。包括：(a1)向衬底供给第1改性气体的工序；(a2)向前述衬底供给具有第1元素的第1处理气体的工序；(b1)向前述衬底供给第2改性气体的工序；和(b2)向前述衬底供给具有第2元素、且比同一条件下的前述第1处理气体更容易吸附于前述衬底的开口部侧的第2处理气体的工序，前述方法具有将(a1)和(a2)进行第1次数、将(b1)和(b2)进行第2次数，形成包含前述第1元素和前述第2元素的膜的工序，(b1)是在前述第2改性气体比同一条件下的前述第1改性气体更容易吸附于前述衬底的表面的条件下进行的。
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公开(公告)号：CN115863141A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210873723.7
申请日：2022-07-21
申请人： 株式会社国际电气
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。其课题在于提高形成于衬底上的膜的质量。所述半导体器件的制造方法具有通过将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成包含第1元素及氧的膜的工序，所述循环包括：(a)向衬底供给改性剂，在衬底上形成包含物理吸附于衬底的表面的改性剂的吸附层的工序；(b)向衬底供给包含第1元素的原料，使原料与衬底的表面反应，在衬底上形成包含第1元素的第1层的工序；和(c)向衬底供给氧化剂，使氧化剂与第1层反应，将第1层改性为包含第1元素及氧的第2层的工序，其中，通过吸附层来抑制第1层的形成时产生的副产物吸附于第1层及衬底的表面中的至少任一者。
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公开(公告)号：CN114250448A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111096352.8
申请日：2021-09-17
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/06 , C23C16/12 , C23C16/14 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。对在表面形成有图案的衬底上形成的膜的面内膜厚分布进行控制。通过将下述(a)和(b)非同时地执行规定次数从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：(a)针对在表面形成有图案的衬底，通过从衬底的外周向衬底的面内供给包含规定元素的原料气体，从而在表面形成包含规定元素的第1层的工序；(b)针对衬底，通过从衬底的外周向衬底的面内供给氧化气体，从而将第1层氧化，在表面形成包含规定元素的氧化层的工序，在(b)中，选择向衬底供给氧化气体的供给时间，以使氧化膜在衬底面内的厚度分布成为规定分布。
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公开(公告)号：CN108660437B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201810166993.8
申请日：2018-02-28
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。能够改善在衬底上形成的膜的阶梯覆盖性能。解决手段为将下述工序依次进行多次从而在衬底上形成金属氧化膜：当向收容有所述衬底的处理室供给含有有机系金属的原料气体与非活性气体的混合气体时，以所述衬底上的所述混合气体的流速成为7.8m/秒～15.6m/秒的范围内的值、所述混合气体中的所述含有有机系金属的原料气体的分压成为0.167～0.3的范围内的值的方式进行调节并供给的工序；将所述处理室排气的工序；向所述处理室供给含氧气体的工序；和将所述处理室排气的工序。
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