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公开(公告)号：CN109314057A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780036974.7
申请日：2017-09-21
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/448 , C23C16/52 , H01L21/316
摘要： 抑制形成于基板的膜的面内均匀性的值发生偏差。具备：包含处理室的处理部；形成为包括具有凹部的底部和壁部，且储存液体原料的储存罐；将液体原料气化而生成原料气体的气化部；向处理室供给原料气体的供给部；探测储存于储存罐的液体原料的液面水平，并且具有配置于凹部的传感器元件的连续传感器；向储存罐补充液体原料的补充部；以及控制部，该控制部控制供给部，向处理室供给原料气体而进行处理基板的基板处理，并且每次进行预先决定的次数的基板处理时，基于连续传感器探测到的液体原料的液面水平，控制补充部，以储存于储存罐的液体原料的液面水平成为预先决定的水平的方式向储存罐补充液体原料。
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公开(公告)号：CN118553600A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311778720.6
申请日：2023-12-22
申请人： 株式会社国际电气
摘要： 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质，课题在于提供能够提高衬底上形成的膜的阶梯覆盖性的技术。包括：(a1)向衬底供给第1改性气体的工序；(a2)向前述衬底供给具有第1元素的第1处理气体的工序；(b1)向前述衬底供给第2改性气体的工序；和(b2)向前述衬底供给具有第2元素、且比同一条件下的前述第1处理气体更容易吸附于前述衬底的开口部侧的第2处理气体的工序，前述方法具有将(a1)和(a2)进行第1次数、将(b1)和(b2)进行第2次数，形成包含前述第1元素和前述第2元素的膜的工序，(b1)是在前述第2改性气体比同一条件下的前述第1改性气体更容易吸附于前述衬底的表面的条件下进行的。
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公开(公告)号：CN112689888B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980057965.5
申请日：2019-09-18
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/31
摘要： 本发明提供一种技术，具有：对收纳在处理室内的基板供给原料气体的第一气体供给工序；以及对基板供给反应气体的第二气体供给工序，交替地进行第一气体供给工序和第二气体供给工序而在基板上形成膜，在第二气体供给工序中，从供给反应气体的反应气体供给系统对基板供给反应气体，并且以反应气体容易到达基板的中心部的方式，从与反应气体供给系统不同的供给系统对基板供给惰性气体。
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公开(公告)号：CN109314057B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201780036974.7
申请日：2017-09-21
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/448 , C23C16/52 , H01L21/316
摘要： 抑制形成于基板的膜的面内均匀性的值发生偏差。具备：包含处理室的处理部；形成为包括具有凹部的底部和壁部，且储存液体原料的储存罐；将液体原料气化而生成原料气体的气化部；向处理室供给原料气体的供给部；探测储存于储存罐的液体原料的液面水平，并且具有配置于凹部的传感器元件的连续传感器；向储存罐补充液体原料的补充部；以及控制部，该控制部控制供给部，向处理室供给原料气体而进行处理基板的基板处理，并且每次进行预先决定的次数的基板处理时，基于连续传感器探测到的液体原料的液面水平，控制补充部，以储存于储存罐的液体原料的液面水平成为预先决定的水平的方式向储存罐补充液体原料。
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公开(公告)号：CN110952078B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201910865389.9
申请日：2019-09-12
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/20 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法、存储介质和基板处理装置，在将原料气体和反应气体交替地向多个基板供给而在基板上形成膜的情况下，抑制因气体分解而在供给原料气体的喷嘴的内壁上附着堆积物。将交替地各进行一次原料气体供给工序和供给反应气体的反应气体供给工序作为一个循环来执行一次或多次，且满足以下(1)～(4)的条件而在多个基板上形成膜，(1)各循环的原料气体供给工序中的原料气体的供给时间：20秒以下；(2)原料气体供给工序中的原料气体喷嘴内的原料气体的压力：50Pa以下；(3)原料气体供给工序中的处理室内的温度：500℃以下；(4)为了在基板上形成膜而持续进行的循环数：100次以下。
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公开(公告)号：CN112689888A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201980057965.5
申请日：2019-09-18
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/31
摘要： 本发明提供一种技术，具有：对收纳在处理室内的基板供给原料气体的第一气体供给工序；以及对基板供给反应气体的第二气体供给工序，交替地进行第一气体供给工序和第二气体供给工序而在基板上形成膜，在第二气体供给工序中，从供给反应气体的反应气体供给系统对基板供给反应气体，并且以反应气体容易到达基板的中心部的方式，从与反应气体供给系统不同的供给系统对基板供给惰性气体。
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公开(公告)号：CN110952078A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910865389.9
申请日：2019-09-12
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/20 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法、存储介质和基板处理装置，在将原料气体和反应气体交替地向多个基板供给而在基板上形成膜的情况下，抑制因气体分解而在供给原料气体的喷嘴的内壁上附着堆积物。将交替地各进行一次原料气体供给工序和供给反应气体的反应气体供给工序作为一个循环来执行一次或多次，且满足以下(1)～(4)的条件而在多个基板上形成膜，(1)各循环的原料气体供给工序中的原料气体的供给时间：20秒以下；(2)原料气体供给工序中的原料气体喷嘴内的原料气体的压力：50Pa以下；(3)原料气体供给工序中的处理室内的温度：500℃以下；(4)为了在基板上形成膜而持续进行的循环数：100次以下。
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公开(公告)号：CN110310886A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910199406.X
申请日：2019-03-15
申请人： 株式会社国际电气
发明人： 矶边纪之
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本发明涉及一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质。本发明提供一种技术，在将液体原料气化来用作气化气体在基板上形成膜时，抑制排气管内的气化气体的热分解以及再液化。具有将第一工序、第二工序、第三工序、第四工序依次进行预定次数而在基板上形成膜的工序，第一工序是对容纳于反应管内的基板供给原料气体，第二工序是从连接于反应管的排气管排出残留于反应管内的原料气体，第三工序是对基板供给与原料气体反应的反应气体，第四工序是从排气管排出残留于反应管内的反应气体，至少在第一工序及第三工序中，将反应管的温度设定为不足原料气体的热分解温度且高于冷凝温度的温度即第一温度，将排气管的温度设定为第一温度的1.0倍以上且1.6倍以下即第二温度。
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公开(公告)号：CN106252197B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610397426.4
申请日：2016-06-07
申请人： 株式会社国际电气
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明提供用于将来自清洁气体的残留卤族元素从处理室内除去的新型吹扫技术。一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：向利用包含卤族元素的清洁气体将附着于内部的构件的氧化膜除去后的处理室内，以第一处理条件供给包含氢及氧的吹扫气体并进行排气的工序；和在以第一处理条件供给吹扫气体并进行排气的工序之后，以与第一处理条件不同的第二处理条件将吹扫气体供给至处理室内并进行排气的工序，第一处理条件是下述处理条件：与第二处理条件相比，将清洁气体供给至处理室内时残留于处理室内的卤族元素与吹扫气体的反应性相对高。
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