Invention Publication
- Patent Title: 半导体装置及半导体装置的制造方法
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Application No.: CN202380018329.8Application Date: 2023-02-06
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Publication No.: CN118591888APublication Date: 2024-09-03
- Inventor: 保坂泰靖 , 岛行德 , 神长正美 , 中田昌孝 , 肥塚纯一 , 冈崎健一
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县厚木市
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县厚木市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 何欣亭; 陈岚
- Priority: 2022-022886 20220217 JP
- International Application: PCT/IB2023/051026 2023.02.06
- International Announcement: WO2023/156876 JA 2023.08.24
- Date entered country: 2024-07-23
- Main IPC: H01L29/786
- IPC: H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L29/417 ; H05B33/02 ; H05B33/10 ; H10K50/00

Abstract:
提供一种包括尺寸微小的晶体管的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。半导体层与第一绝缘层的顶面及侧面以及第一导电层的顶面接触。第二导电层设置在半导体层上。第二导电层在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。第二绝缘层设置在半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层与第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括膜密度比第三绝缘层高的区域。
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IPC分类: