公开(公告)号：CN119137749A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380037713.2

申请日：2023-05-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  大野正胜 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B45/60 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种具有低功耗及高性能的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第一绝缘层上。第一绝缘层及第二导电层包括到达第一导电层的开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二半导体层设置于第一半导体层上。第二绝缘层设置于第二半导体层上。第三导电层设置于第二绝缘层上。第一半导体层的导电率比第二半导体层的导电率高。

公开(公告)号：CN118591888A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380018329.8

申请日：2023-02-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种包括尺寸微小的晶体管的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。半导体层与第一绝缘层的顶面及侧面以及第一导电层的顶面接触。第二导电层设置在半导体层上。第二导电层在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。第二绝缘层设置在半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层与第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括膜密度比第三绝缘层高的区域。

公开(公告)号：CN118556296A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202380017236.3

申请日：2023-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种包括微细的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。第一绝缘层设置在第一导电层上并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域包括第二开口。半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二绝缘层设置在半导体层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层及第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括其膜密度比第三绝缘层高的区域。

公开(公告)号：CN118173450A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410270490.0

申请日：2019-02-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  岛行德

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置的制造方法。半导体装置通过如下工序制造：形成包含金属氧化物的半导体层的第一工序；形成第一绝缘层的第二工序；在第一绝缘层上形成第一导电膜的第三工序；通过对第一导电膜的一部分进行蚀刻来形成第一导电层，形成第一导电层重叠于半导体层上的第一区域以及第一导电层不重叠与半导体层上的第二区域的第四工序；以及对导电层进行第一处理的第五工序。第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体与含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。

公开(公告)号：CN111129039B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201911375684.2

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/121 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN110600485B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201910839846.7

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：CN116154003A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211581242.5

申请日：2016-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  中田昌孝 ,  神长正美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/49 ,  H01L21/426 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H10K59/12 ,  H01L21/34 ,  H10K50/115 ,  H10K59/40 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备。在包括氧化物半导体的晶体管中，在抑制电特性变动的同时提高可靠性。提供一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电膜、第一栅极绝缘膜、包括沟道区域的第一氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜、被用作第二栅电极的第二氧化物半导体膜及第二导电膜。第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比第一氧化物半导体膜高的区域。第二导电膜包括与第一导电膜接触的区域。

公开(公告)号：CN111788664A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201980014007.X

申请日：2019-02-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  岛行德

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L27/32 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。半导体装置通过如下工序制造：形成包含金属氧化物的半导体层的第一工序；形成第一绝缘层的第二工序；在第一绝缘层上形成第一导电膜的第三工序；通过对第一导电膜的一部分进行蚀刻来形成第一导电层，形成第一导电层重叠于半导体层上的第一区域以及第一导电层不重叠与半导体层上的第二区域的第四工序；以及对导电层进行第一处理的第五工序。第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体与含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。

公开(公告)号：CN111052396A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880056532.3

申请日：2018-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  中田昌孝 ,  土桥正佳 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够实现高集成化的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第一导电层以及第二导电层。第二半导体层位于第一半导体层上，第二导电层位于第二半导体层上，第二绝缘层以覆盖第二导电层的顶面和侧面的方式设置。第二导电层和第二绝缘层具有第一开口，第三半导体层被设置为接触于第二绝缘层的顶面、第一开口的侧面及第二半导体层的位置。第一绝缘层位于第一导电层与第三半导体层之间，第三绝缘层位于第一绝缘层与第一导电层之间，第四绝缘层以围绕第一导电层的方式设置。

公开(公告)号：CN110676324A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910937461.4

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。