本发明公开了一种过压浪涌保护器件及其制造方法，包括N型半导体衬底，N型半导体衬底设置有第二P型掺杂基区、第一P型掺杂基区，第二P型掺杂基区内设置有第一N型发射区，第一P型掺杂基区内设置有第二N型发射区，N型半导体衬底设置有沟槽区，沟槽区内设置有玻璃钝化层，N型半导体衬底设置有第一N型掺杂区、第二N型掺杂区，第二P型掺杂基区和第一P型掺杂基区均设置有金属层，本发明通过调整N型掺杂区的浓度可以得到适当击穿电压的过压浪涌保护器件，N型掺杂区是在刻蚀出沟槽区后形成的，其浓度和结深非常利于控制，不需要极长的扩散时间，从而能大大缩短瞬态浪涌抑制器的制造周期，使得最终的产品参数稳定，生产效率得到显著提高。