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公开(公告)号：CN117457549A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311791426.9
申请日：2023-12-25
Applicant: 富芯微电子有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于晶闸管管芯生产的表面腐蚀设备，包括腐蚀装置和输送架:腐蚀装置的底座的顶部上设置有支架，底座内升降设置有腐蚀液框，输送架贯穿支架，输送架上等间距设置有管芯安装盘，管芯安装盘通过夹具安装有多个管芯本体；还包括清洗烘干件，清洗烘干件位于支架的底部，清洗烘干件的清洗管位于支架底部，清洗管和电加热板之间通过连接板连接，连接板与第三气缸的输出端连接，第三气缸安装在支架上，本发明实现对管芯本体进行自动化工作，且循环有序的进行生产，从而大大提高了对管芯本体进行表面腐蚀的整体效率；对腐蚀后的管芯，实现了冲洗与干燥一体化处理。
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公开(公告)号：CN117316825A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311383910.8
申请日：2023-10-24
Applicant: 富芯微电子有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片封装装置及其工作方法，涉及二极管生产设备技术领域，半导体芯片封装装置包括工作台以及布置在工作台间的输送机构，输送机构表面间隔布置多组承载槽，承载槽用于对待封装二极管进行承载储存，输送机构用于对布置在承载槽内的二极管进行输送；还包括：点胶组件，所述点胶组件包括储胶筒以及与储胶筒连接的输胶机构，以及封装组件，二极管经过点胶后通过输送组件输送至芯片定位机构正下方，推动机构推动布置在芯片定位机构内的芯片与二极管贴合，进而实现对二级管与芯片的封装处理，在对二级管与芯片封装前，预先对二级管顶部进行点胶处理，使得二级管与芯片封装稳定性更高，贴合更加稳定。
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公开(公告)号：CN117174761A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311447479.9
申请日：2023-11-02
Applicant: 富芯微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种电压非对称双向TVS器件及其制造方法，包括N型半导体衬底，N型半导体衬底的上侧设置有N型外延层，N型外延层和N型半导体衬底均设置有第一钝化层，N型外延层的内部设置有P型注入区，P型注入区的两侧均设置有P型掺杂区，P型注入区的上侧且位于N型外延层的内部处设置有N型掺杂区，本器件通过N型半导体衬底、P型注入区、N型掺杂区等的设置，成功实现了一个TVS器件即可对两个不同耐压等级的线路进行保护，极大提高了本器件的使用效率，同时，由于本发明采用了N型半导体衬底和N型外延层，大大降低了本器件制造的工艺难度及成本，且制造方法凝练、易操作，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN117096178A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311338754.3
申请日：2023-10-17
Applicant: 富芯微电子有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种耐高压的平面型半导体装置，包括：有源区层，所述有源区层的四个拐角处设置为弧形结构，所述有源区层的每个拐角处的弧形结构数量设置为三个以上；衬底层，所述衬底层的顶端设置有安装有源区层的安装槽，所述有源区层通过安装槽嵌入衬底层的顶面；其中，每个所述弧形结构的一侧设置有弧形JTE结构。所述弧形结构包括：中部圆弧结构和侧圆弧结构。通过在每个拐角处的设置多个弧形结构，可增加电势障垒的区域；通过降低圆角处的电场强度，提高器件的击穿电压，增强器件的耐压能力。改善器件的可靠性和稳定性；圆角处的电势障垒得以展宽并变得更平坦。使得电场强度能够更均匀地分布在圆角处，不会集中在局部区域。
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公开(公告)号：CN118824917A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410880152.9
申请日：2024-07-02
Applicant: 富芯微电子有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种功率MOSFET芯片定向自动叠放装置，包括传送带，传送带的顶面设置有侧挡板，侧挡板连接有梳平槽，梳平槽连接有延伸板，梳平槽的内部通过设置内隔板将梳平槽的内部分隔为若干个通道，通道内设置有阶梯台，梳平槽连接有延伸板，延伸板的上部设置有电磁铁，靠近传送带尾部的支撑机构上通过支撑侧杆设置有变向传送带，变向传送带上设置有磁铁块，支撑侧杆之间处设置有收集组件，本发明通过变向传送带、磁铁块和收集组件等的设置和共同协作，成功实现了对功率MOSFET芯片进行定向，并通过分隔组件的设置，从而可以流畅、不间断地自动收集叠放物料，结构设置精巧，自动化程度高且高效，显著提高物料的定向叠放效率，具有极大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117174761B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311447479.9
申请日：2023-11-02
Applicant: 富芯微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种电压非对称双向TVS器件及其制造方法，包括N型半导体衬底，N型半导体衬底的上侧设置有N型外延层，N型外延层和N型半导体衬底均设置有第一钝化层，N型外延层的内部设置有P型注入区，P型注入区的两侧均设置有P型掺杂区，P型注入区的上侧且位于N型外延层的内部处设置有N型掺杂区，本器件通过N型半导体衬底、P型注入区、N型掺杂区等的设置，成功实现了一个TVS器件即可对两个不同耐压等级的线路进行保护，极大提高了本器件的使用效率，同时，由于本发明采用了N型半导体衬底和N型外延层，大大降低了本器件制造的工艺难度及成本，且制造方法凝练、易操作，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN118610207A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410849508.2
申请日：2024-06-27
Applicant: 富芯微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/266 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种过压浪涌保护器件及其制造方法，包括N型半导体衬底，N型半导体衬底设置有第二P型掺杂基区、第一P型掺杂基区，第二P型掺杂基区内设置有第一N型发射区，第一P型掺杂基区内设置有第二N型发射区，N型半导体衬底设置有沟槽区，沟槽区内设置有玻璃钝化层，N型半导体衬底设置有第一N型掺杂区、第二N型掺杂区，第二P型掺杂基区和第一P型掺杂基区均设置有金属层，本发明通过调整N型掺杂区的浓度可以得到适当击穿电压的过压浪涌保护器件，N型掺杂区是在刻蚀出沟槽区后形成的，其浓度和结深非常利于控制，不需要极长的扩散时间，从而能大大缩短瞬态浪涌抑制器的制造周期，使得最终的产品参数稳定，生产效率得到显著提高。
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公开(公告)号：CN117457549B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311791426.9
申请日：2023-12-25
Applicant: 富芯微电子有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于晶闸管管芯生产的表面腐蚀设备，包括腐蚀装置和输送架:腐蚀装置的底座的顶部上设置有支架，底座内升降设置有腐蚀液框，输送架贯穿支架，输送架上等间距设置有管芯安装盘，管芯安装盘通过夹具安装有多个管芯本体；还包括清洗烘干件，清洗烘干件位于支架的底部，清洗烘干件的清洗管位于支架底部，清洗管和电加热板之间通过连接板连接，连接板与第三气缸的输出端连接，第三气缸安装在支架上，本发明实现对管芯本体进行自动化工作，且循环有序的进行生产，从而大大提高了对管芯本体进行表面腐蚀的整体效率；对腐蚀后的管芯，实现了冲洗与干燥一体化处理。
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公开(公告)号：CN117434415B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311752953.9
申请日：2023-12-20
Applicant: 富芯微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件热阻测量设备，包括底板，所述底板上端后侧并排设置有两组竖直架，两组竖直架的上下部均通过横梁固定连接，竖直架上安装有升降台，升降台上设置有温控平台和测试仪，温控平台用于放置待测量的半导体器件，测试仪用于对半导体器件热阻进行测量；所述竖直架上固定安装有连接架，连接架上安装有压合组件，压合组件用于对温控平台上放置的半导体器件进行压紧固定；本发明温控器控制电热片的工作状态，实现对测量座温度的调节，多组测量座可以是相同的温度测量不同型号的半导体器件，也可以在不同的温度下测量相同型号的半导体器件，生成对测量数据的对比，且可以同时测量两组半导体器件，提高测量效率。
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公开(公告)号：CN117686867A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311647176.1
申请日：2023-12-04
Applicant: 富芯微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种TVS管检测系统，包括定位传送带，定位传送带两侧设置有循环测定装置，循环测定装置包括循环传动带与安装在循环传动带上的两级夹紧装置，定位传送带与循环传动带同步运动；两级夹紧装置包括能够在竖直方向上往复运动的锁紧机架，锁紧机架靠近定位传送带的一侧上安装有夹紧嘴，夹紧嘴用于对TVS管的两级进行夹紧；本发明通过TVS管定位装置与两级夹紧装置同步运动，能够对流水线上的TVS管进行在线移动检测，整个过程中传送带无需停机，无需对待检测的TVS管进行移动，能够大大的提升检测效率，且相较于传统的自动检测方法中通过设置机械手一一进行检测的方式，能够减少设备投入成本。
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