本发明公开了混晶层形成技术领域的一种集成电路利用磊晶原理形成混晶层的方法，包括如下步骤：S1、晶粒聚结及暂停；S2、Au薄膜填补；S3、TiW层二次沉积；S4、共晶层形成；S5、电镀凸块。本发明通过在TiW层沉积过程中引入Au薄膜填补缝隙的步骤，增加了TiW和Au之间的共晶层面积，从而显著提高了薄膜间的粘附力，由于共晶层的增强，Bump的机械剪切强度得到提升，在Shear剪切力测试中表现出更好的性能，减少了TiW层漏出和Bump脱落的风险，通过形成更稳定的共晶层，集成电路的整体可靠性得到显著提高，确保了在实际使用中的耐用性和稳定性，改进后的混晶层形成方法能够提升集成电路的性能，尤其是在需要高可靠性和机械强度的应用场景中。