双平面栅钾离子敏场效应晶体管及其制备方法
摘要:
本发明属于传感器技术领域,公开了一种双平面栅钾离子敏场效应晶体管及其制备方法,包括双平面栅场效应晶体管和扩展栅极。双平面栅场效应晶体管包括基底,基底上设置下介电层,下介电层上依次排列设置第一平面栅极、源极、半导体层、漏极和第二平面栅极,半导体层上设置上介电层,上介电层上设置顶栅极;扩展栅极与顶栅极连接。本发明基于单平面栅离子场效应晶体管,在其下介电层上设置第二平面栅极,可减少半导体层与基底之间存储的电荷量,从而降低下介电层电容,提升场效应晶体管的电容耦合比,最终提高钾离子敏场效应晶体管的灵敏度。本发明双平面栅钾离子敏场效应晶体管具有极高的灵敏度,可用于检测环境水质及人体体液中的钾离子浓度,具有良好的应用前景。
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